半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
1期
19-21,29
,共4页
朱青云%卢结成%张小波%鄢铭
硃青雲%盧結成%張小波%鄢銘
주청운%로결성%장소파%언명
低功耗%高动态范围%CMOS图像传感器%时序优化
低功耗%高動態範圍%CMOS圖像傳感器%時序優化
저공모%고동태범위%CMOS도상전감기%시서우화
设计了一种低功耗高动态范围的CMOS图像传感器16×16像素阵列电路,采用条件重置的方法,钟控比较器的低功耗设计及相关时序电路的优化,在扩展CMOS图像传感器的动态范围下,极大地降低了系统的功耗.实验表明,基于标准CSM 0.35μm 2P4M CMOS工艺,用HSPICE仿真,动态范围最大可以达到普通传感器的4倍,在3.3 V下每列功耗仅为6.6μW.
設計瞭一種低功耗高動態範圍的CMOS圖像傳感器16×16像素陣列電路,採用條件重置的方法,鐘控比較器的低功耗設計及相關時序電路的優化,在擴展CMOS圖像傳感器的動態範圍下,極大地降低瞭繫統的功耗.實驗錶明,基于標準CSM 0.35μm 2P4M CMOS工藝,用HSPICE倣真,動態範圍最大可以達到普通傳感器的4倍,在3.3 V下每列功耗僅為6.6μW.
설계료일충저공모고동태범위적CMOS도상전감기16×16상소진렬전로,채용조건중치적방법,종공비교기적저공모설계급상관시서전로적우화,재확전CMOS도상전감기적동태범위하,겁대지강저료계통적공모.실험표명,기우표준CSM 0.35μm 2P4M CMOS공예,용HSPICE방진,동태범위최대가이체도보통전감기적4배,재3.3 V하매렬공모부위6.6μW.
