材料工程
材料工程
재료공정
JOURNAL OF MATERIALS ENGINEERING
2007年
11期
71-75
,共5页
王应民%杜楠%蔡莉%李禾%程国安
王應民%杜楠%蔡莉%李禾%程國安
왕응민%두남%채리%리화%정국안
Si(111)%ZnO薄膜%等离子增强化学气相沉积%反射光谱
Si(111)%ZnO薄膜%等離子增彊化學氣相沉積%反射光譜
Si(111)%ZnO박막%등리자증강화학기상침적%반사광보
使用薄膜分析系统研究在不同衬底温度下生长的硅基ZnO薄膜反射谱,了解衬底温度对薄膜的结晶状况影响.研究结果表明,随衬底温度的升高,晶粒之间融合长大,薄膜的折射率增大;在衬底温度450℃时生长的ZnO薄膜,薄膜的折射率最大为4.2,反射谱的吸收边更接近380nm,在520nm处有一个弱的吸收峰,与ZnO薄膜的PL谱测试结果一致.再升高衬底温度,晶粒会出现异常长大,晶粒排布将受到影响,导致薄膜折射率下降.
使用薄膜分析繫統研究在不同襯底溫度下生長的硅基ZnO薄膜反射譜,瞭解襯底溫度對薄膜的結晶狀況影響.研究結果錶明,隨襯底溫度的升高,晶粒之間融閤長大,薄膜的摺射率增大;在襯底溫度450℃時生長的ZnO薄膜,薄膜的摺射率最大為4.2,反射譜的吸收邊更接近380nm,在520nm處有一箇弱的吸收峰,與ZnO薄膜的PL譜測試結果一緻.再升高襯底溫度,晶粒會齣現異常長大,晶粒排佈將受到影響,導緻薄膜摺射率下降.
사용박막분석계통연구재불동츤저온도하생장적규기ZnO박막반사보,료해츤저온도대박막적결정상황영향.연구결과표명,수츤저온도적승고,정립지간융합장대,박막적절사솔증대;재츤저온도450℃시생장적ZnO박막,박막적절사솔최대위4.2,반사보적흡수변경접근380nm,재520nm처유일개약적흡수봉,여ZnO박막적PL보측시결과일치.재승고츤저온도,정립회출현이상장대,정립배포장수도영향,도치박막절사솔하강.
