CAJ | 학술논문

使用金属有机物气相沉积方法(MOCVD),在GaAs衬底上生长InP外延层.先在GaAs衬底上生长一层低温InP缓冲层,然后再生长InP外延层.通过比较不同缓冲层生长条件下的外延层晶体质量,发现在生长温度为450℃,厚度约15nm的缓冲层上外延所得到的晶体质量最理想;此外,外延层厚度的增加对其晶体质量有明显改善作用.实验在优化生长条件的同时,也考虑了热退火等辅助工艺,最后所获得的外延层的双晶X射线衍射(DCXRD)的ω/2θ扫描外延峰半高全宽(FWHM)值为238.5".
사용금속유궤물기상침적방법(MOCVD),재GaAs츤저상생장InP외연층.선재GaAs츤저상생장일층저온InP완충층,연후재생장InP외연층.통과비교불동완충층생장조건하적외연층정체질량,발현재생장온도위450℃,후도약15nm적완충층상외연소득도적정체질량최이상;차외,외연층후도적증가대기정체질량유명현개선작용.실험재우화생장조건적동시,야고필료열퇴화등보조공예,최후소획득적외연층적쌍정X사선연사(DCXRD)적ω/2θ소묘외연봉반고전관(FWHM)치위238.5".