SiC衬底上高性能AlGaN/GaN HEMT结构材料的研制
SiC츤저상고성능AlGaN/GaN HEMT결구재료적연제
High Quality AlGaN/GaN HEMT Materials Grown on SiC Substrates
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2007年 z1期 402-406 ,共5页

    王晓亮%王翠梅%胡国新%马志勇%肖红领%冉军学%罗卫军%唐健%李建平%李晋闽%王占国

    왕효량%왕취매%호국신%마지용%초홍령%염군학%라위군%당건%리건평%리진민%왕점국

    AlGaN/GaN%高电子迁移率管%MOCVD%功率器件%碳化硅衬底 AlGaN/GaN%高電子遷移率管%MOCVD%功率器件%碳化硅襯底
    AlGaN/GaN%고전자천이솔관%MOCVD%공솔기건%탄화규츤저
    用金属有机物化学气相沉积技术(MOCVD)在半绝缘4H-和6H-SiC衬底上研制出了高性能的具有国内领先和国际先进水平的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,室温二维电子气迁移率和浓度分别为2215cm2/(V·s)和1.044×1013cm-2;50mm外延片平均方块电阻不高于253.7Ω/□,方块电阻不均匀性小于2.02%;三晶X射线衍射和原子力显微镜分析表明该材料具有较高的晶体质量和表面质量.用以上材料研制出了1mm栅宽AlGaN/GaN HEMT功率器件,8GHz连续波输入下器件的输出功率密度为8.25W/mm,功率附加效率为39.4%;对研制的器件进行了可靠性测试,器件连续工作半小时后,输出功率只下降了0.1dBm,表明所研制的器件具备了一定的可靠性.
    용금속유궤물화학기상침적기술(MOCVD)재반절연4H-화6H-SiC츤저상연제출료고성능적구유국내령선화국제선진수평적AlGaN/GaN고전자천이솔정체관(HEMT)재료,실온이유전자기천이솔화농도분별위2215cm2/(V·s)화1.044×1013cm-2;50mm외연편평균방괴전조불고우253.7Ω/□,방괴전조불균균성소우2.02%;삼정X사선연사화원자력현미경분석표명해재료구유교고적정체질량화표면질량.용이상재료연제출료1mm책관AlGaN/GaN HEMT공솔기건,8GHz련속파수입하기건적수출공솔밀도위8.25W/mm,공솔부가효솔위39.4%;대연제적기건진행료가고성측시,기건련속공작반소시후,수출공솔지하강료0.1dBm,표명소연제적기건구비료일정적가고성.
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