北京理工大学学报
北京理工大學學報
북경리공대학학보
JOURNAL OF BEIJING INSTITUTE OF TECHNOLOGY
2007年
10期
924-927
,共4页
喻志农%相龙锋%薛唯%王华清%卢维强
喻誌農%相龍鋒%薛唯%王華清%盧維彊
유지농%상룡봉%설유%왕화청%로유강
离子辅助反应蒸发技术%室温%ITO薄膜
離子輔助反應蒸髮技術%室溫%ITO薄膜
리자보조반응증발기술%실온%ITO박막
室温下利用离子辅助反应蒸发法在玻璃衬底上制备高透射比、低电阻率的ITO透明导电薄膜. 实验结果表明离子辅助蒸发可以有效地降低制备温度,提高薄膜的光电特性,薄膜具有明显的(222)择优取向,晶体粒子尺寸约为21 nm;离子源屏压、通氧量及沉积速率是影响薄膜光电特性的主要因素. 室温制备的ITO薄膜电阻率为2.4×10-3 Ω·cm,可见光平均透射比大于82%.
室溫下利用離子輔助反應蒸髮法在玻璃襯底上製備高透射比、低電阻率的ITO透明導電薄膜. 實驗結果錶明離子輔助蒸髮可以有效地降低製備溫度,提高薄膜的光電特性,薄膜具有明顯的(222)擇優取嚮,晶體粒子呎吋約為21 nm;離子源屏壓、通氧量及沉積速率是影響薄膜光電特性的主要因素. 室溫製備的ITO薄膜電阻率為2.4×10-3 Ω·cm,可見光平均透射比大于82%.
실온하이용리자보조반응증발법재파리츤저상제비고투사비、저전조솔적ITO투명도전박막. 실험결과표명리자보조증발가이유효지강저제비온도,제고박막적광전특성,박막구유명현적(222)택우취향,정체입자척촌약위21 nm;리자원병압、통양량급침적속솔시영향박막광전특성적주요인소. 실온제비적ITO박막전조솔위2.4×10-3 Ω·cm,가견광평균투사비대우82%.
