人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2007年
4期
798-801
,共4页
任丙彦%刘晓平%李彦林%王敏花%羊建坤%许颖
任丙彥%劉曉平%李彥林%王敏花%羊建坤%許穎
임병언%류효평%리언림%왕민화%양건곤%허영
磁控溅射%ITO薄膜%溅射气压%低温
磁控濺射%ITO薄膜%濺射氣壓%低溫
자공천사%ITO박막%천사기압%저온
工作气压在ITO薄膜的制备过程中是一个重要的工艺参数,直接决定着薄膜的性能.本文利用射频磁控溅射方法,采用氧化铟锡陶瓷靶材,在衬底温度为175℃,工作气压范围为0.45～1.0 Pa条件下,制备了氧化铟锡透明导电薄膜.研究了工作气压对其微观结构、表面形貌和光电特性的影响.在衬底温度为175℃、纯氩气中制备的氧化铟锡薄膜电阻率为3.04 ×10-4 Ω·cm、可见光波段(400～800 nm)透过率为91.9%,适合用作异质结太阳电池的前电极和减反射膜.
工作氣壓在ITO薄膜的製備過程中是一箇重要的工藝參數,直接決定著薄膜的性能.本文利用射頻磁控濺射方法,採用氧化銦錫陶瓷靶材,在襯底溫度為175℃,工作氣壓範圍為0.45～1.0 Pa條件下,製備瞭氧化銦錫透明導電薄膜.研究瞭工作氣壓對其微觀結構、錶麵形貌和光電特性的影響.在襯底溫度為175℃、純氬氣中製備的氧化銦錫薄膜電阻率為3.04 ×10-4 Ω·cm、可見光波段(400～800 nm)透過率為91.9%,適閤用作異質結太暘電池的前電極和減反射膜.
공작기압재ITO박막적제비과정중시일개중요적공예삼수,직접결정착박막적성능.본문이용사빈자공천사방법,채용양화인석도자파재,재츤저온도위175℃,공작기압범위위0.45～1.0 Pa조건하,제비료양화인석투명도전박막.연구료공작기압대기미관결구、표면형모화광전특성적영향.재츤저온도위175℃、순아기중제비적양화인석박막전조솔위3.04 ×10-4 Ω·cm、가견광파단(400～800 nm)투과솔위91.9%,괄합용작이질결태양전지적전전겁화감반사막.
