电力电子技术
電力電子技術
전력전자기술
POWER ELECTRONICS
2007年
9期
72-73,76
,共3页
王永青%周金香%周颖昌%李敏
王永青%週金香%週穎昌%李敏
왕영청%주금향%주영창%리민
串联/隔离驱动%均压%光压隔离器
串聯/隔離驅動%均壓%光壓隔離器
천련/격리구동%균압%광압격리기
提出了一种高压IGBT串联用隔离驱动及其均压方法.简要介绍了光压隔离器(Photo Voltaic Insulator,简称PVI)的工作原理及参数,给出了采用PVI的串联IGBT隔离驱动电路及工作原理,详细阐述了采用PMOSFET的高压IGBT串联均压方法.最后,给出了上述PVI隔离驱动电路和PMOSFET均压方法在以双IGBT串联为调整管的高压恒流源中的均压效果,经实际测试其均压误差小于2%.
提齣瞭一種高壓IGBT串聯用隔離驅動及其均壓方法.簡要介紹瞭光壓隔離器(Photo Voltaic Insulator,簡稱PVI)的工作原理及參數,給齣瞭採用PVI的串聯IGBT隔離驅動電路及工作原理,詳細闡述瞭採用PMOSFET的高壓IGBT串聯均壓方法.最後,給齣瞭上述PVI隔離驅動電路和PMOSFET均壓方法在以雙IGBT串聯為調整管的高壓恆流源中的均壓效果,經實際測試其均壓誤差小于2%.
제출료일충고압IGBT천련용격리구동급기균압방법.간요개소료광압격리기(Photo Voltaic Insulator,간칭PVI)적공작원리급삼수,급출료채용PVI적천련IGBT격리구동전로급공작원리,상세천술료채용PMOSFET적고압IGBT천련균압방법.최후,급출료상술PVI격리구동전로화PMOSFET균압방법재이쌍IGBT천련위조정관적고압항류원중적균압효과,경실제측시기균압오차소우2%.
