CAJ | 학술논문

万方数据

半导体学报 반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年 1期 78-83 ,共6页

刘书焕%林东生%郭晓强%刘红兵%江新标%朱广宁%李达%王祖军%陈伟%张伟%周辉%邵贝贝%李君利

류서환%림동생%곽효강%류홍병%강신표%주엄저%리체%왕조군%진위%장위%주휘%소패패%리군리

SiGeHBT%辐射效应%反应堆 SiGeHBT%輻射效應%反應堆
SiGeHBT%복사효응%반응퇴

测量了反应堆脉冲中子及γ辐照SiGe HBT典型电参数变化.在反应堆1×1013cm-2的脉冲中子注量和256.85Gy(Si)γ总剂量辐照后,SiGe HBT静态共射极直流增益减小了20%.辐照后基极电流、结漏电流增大,集电极电流、击穿电压减小.特征截止频率fT基本不变,fmax略有减小.初步分析了SiGe HBT反应堆脉冲中子及γ辐射的损伤机理.
측량료반응퇴맥충중자급γ복조SiGe HBT전형전삼수변화.재반응퇴1×1013cm-2적맥충중자주량화256.85Gy(Si)γ총제량복조후,SiGe HBT정태공사겁직류증익감소료20%.복조후기겁전류、결루전류증대,집전겁전류、격천전압감소.특정절지빈솔fT기본불변,fmax략유감소.초보분석료SiGe HBT반응퇴맥충중자급γ복사적손상궤리.