半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2006年
6期
742-744,755
,共4页
GaN基蓝光LED%接触电阻%RTA%表面处理
GaN基藍光LED%接觸電阻%RTA%錶麵處理
GaN기람광LED%접촉전조%RTA%표면처리
通过分析LED的工作电压和晶圆上两相邻N电极间电阻来讨论快速退火(RTA)和表面处理对GaN基蓝光LED接触电极的影响.研究了p-GaN表面处理对Ni/Au与p-GaN接触电阻的影响.结果表明,用KOH清洗p-GaN表面比用HCl清洗更能有效地改善Ni/Au与p-GaN的接触电阻.讨论了在氧和氮混合气氛下两种退火温度对P电极接触电阻的影响,当退火温度从570 ℃升到620 ℃时接触电阻升高.研究了氮气氛下不同退火温度和时间对LED电极接触的影响,发现在480 ℃下连续退火对N接触有利,但却使P接触变差,而450 ℃、10 min的氮气氛退火能同时得到较好P接触和N接触.
通過分析LED的工作電壓和晶圓上兩相鄰N電極間電阻來討論快速退火(RTA)和錶麵處理對GaN基藍光LED接觸電極的影響.研究瞭p-GaN錶麵處理對Ni/Au與p-GaN接觸電阻的影響.結果錶明,用KOH清洗p-GaN錶麵比用HCl清洗更能有效地改善Ni/Au與p-GaN的接觸電阻.討論瞭在氧和氮混閤氣氛下兩種退火溫度對P電極接觸電阻的影響,噹退火溫度從570 ℃升到620 ℃時接觸電阻升高.研究瞭氮氣氛下不同退火溫度和時間對LED電極接觸的影響,髮現在480 ℃下連續退火對N接觸有利,但卻使P接觸變差,而450 ℃、10 min的氮氣氛退火能同時得到較好P接觸和N接觸.
통과분석LED적공작전압화정원상량상린N전겁간전조래토론쾌속퇴화(RTA)화표면처리대GaN기람광LED접촉전겁적영향.연구료p-GaN표면처리대Ni/Au여p-GaN접촉전조적영향.결과표명,용KOH청세p-GaN표면비용HCl청세경능유효지개선Ni/Au여p-GaN적접촉전조.토론료재양화담혼합기분하량충퇴화온도대P전겁접촉전조적영향,당퇴화온도종570 ℃승도620 ℃시접촉전조승고.연구료담기분하불동퇴화온도화시간대LED전겁접촉적영향,발현재480 ℃하련속퇴화대N접촉유리,단각사P접촉변차,이450 ℃、10 min적담기분퇴화능동시득도교호P접촉화N접촉.
