真空电子技术
真空電子技術
진공전자기술
VACUUM ELECTRONICS
2006年
3期
61-63
,共3页
粉体粒度%高致密%金属化层%封接强度
粉體粒度%高緻密%金屬化層%封接彊度
분체립도%고치밀%금속화층%봉접강도
通过改变Mp-Mn法工艺条件来获得高致密、高强度的金属化层,以提高陶瓷金属封接件的封接强度.
通過改變Mp-Mn法工藝條件來穫得高緻密、高彊度的金屬化層,以提高陶瓷金屬封接件的封接彊度.
통과개변Mp-Mn법공예조건래획득고치밀、고강도적금속화층,이제고도자금속봉접건적봉접강도.
