微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2006年
2期
132-135
,共4页
岳磊%陈长春%许军%刘志弘%钱佩信
嶽磊%陳長春%許軍%劉誌弘%錢珮信
악뢰%진장춘%허군%류지홍%전패신
超高真空化学气相淀积%锗硅器件%异质结双极型晶体管%本征硅外延
超高真空化學氣相澱積%鍺硅器件%異質結雙極型晶體管%本徵硅外延
초고진공화학기상정적%타규기건%이질결쌍겁형정체관%본정규외연
在微波双极型晶体管中,收集区的厚度是影响其截止频率的一个重要因素.普通的常压外延难以生长出杂质浓度变化陡峭的薄外延层.文章利用自行研制的超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)系统SGE500,在N型(掺As)重掺杂衬底上进行了薄本征硅外延层生长规律的研究;并采用扩展电阻(SPR)、原子力显微镜(AFM)、双晶衍射(DCXRD)等方法,对外延层的质量进行了评价.采用该外延材料制作的锗硅异质结双极型晶体管(SiGe HBT)器件击穿特性良好.
在微波雙極型晶體管中,收集區的厚度是影響其截止頻率的一箇重要因素.普通的常壓外延難以生長齣雜質濃度變化陡峭的薄外延層.文章利用自行研製的超高真空化學氣相澱積(UHV/CVD)繫統SGE500,在N型(摻As)重摻雜襯底上進行瞭薄本徵硅外延層生長規律的研究;併採用擴展電阻(SPR)、原子力顯微鏡(AFM)、雙晶衍射(DCXRD)等方法,對外延層的質量進行瞭評價.採用該外延材料製作的鍺硅異質結雙極型晶體管(SiGe HBT)器件擊穿特性良好.
재미파쌍겁형정체관중,수집구적후도시영향기절지빈솔적일개중요인소.보통적상압외연난이생장출잡질농도변화두초적박외연층.문장이용자행연제적초고진공화학기상정적(UHV/CVD)계통SGE500,재N형(참As)중참잡츤저상진행료박본정규외연층생장규률적연구;병채용확전전조(SPR)、원자력현미경(AFM)、쌍정연사(DCXRD)등방법,대외연층적질량진행료평개.채용해외연재료제작적타규이질결쌍겁형정체관(SiGe HBT)기건격천특성량호.
