硅酸盐通报
硅痠鹽通報
규산염통보
BULLETIN OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY
2005年
2期
76-79
,共4页
付兴华%傅正义%丁碧妍%单连伟%韦其红%侯文萍
付興華%傅正義%丁碧妍%單連偉%韋其紅%侯文萍
부흥화%부정의%정벽연%단련위%위기홍%후문평
硅基片%SBT薄膜%介电性能%结构特征
硅基片%SBT薄膜%介電性能%結構特徵
규기편%SBT박막%개전성능%결구특정
采用HPAgilent4294A阻抗分析仪、XRD、TEM等测试方法研究了不同电阻率硅片对Sr0.5Ba0.5TiO3(SBT)薄膜结构与性能的影响.在测试频率为1KHz时,在高阻硅片上生成的SBT薄膜的相对介电常数εr,介质损耗tanδ分别为100.54,0.060,材料的介电性能相对提高,并表现出较好的频散特性;最大εr温度点Tm(居里温度)稍微移向高温.在高阻硅片上制备的SBT薄膜易生成四方钙钛矿结构,薄膜表面无裂纹,孔洞少,比较致密,晶粒的平均粒径均为80nm,分布均匀;晶格条纹间距约为0.296nm,晶界2侧的晶粒取向是随机的.
採用HPAgilent4294A阻抗分析儀、XRD、TEM等測試方法研究瞭不同電阻率硅片對Sr0.5Ba0.5TiO3(SBT)薄膜結構與性能的影響.在測試頻率為1KHz時,在高阻硅片上生成的SBT薄膜的相對介電常數εr,介質損耗tanδ分彆為100.54,0.060,材料的介電性能相對提高,併錶現齣較好的頻散特性;最大εr溫度點Tm(居裏溫度)稍微移嚮高溫.在高阻硅片上製備的SBT薄膜易生成四方鈣鈦礦結構,薄膜錶麵無裂紋,孔洞少,比較緻密,晶粒的平均粒徑均為80nm,分佈均勻;晶格條紋間距約為0.296nm,晶界2側的晶粒取嚮是隨機的.
채용HPAgilent4294A조항분석의、XRD、TEM등측시방법연구료불동전조솔규편대Sr0.5Ba0.5TiO3(SBT)박막결구여성능적영향.재측시빈솔위1KHz시,재고조규편상생성적SBT박막적상대개전상수εr,개질손모tanδ분별위100.54,0.060,재료적개전성능상대제고,병표현출교호적빈산특성;최대εr온도점Tm(거리온도)초미이향고온.재고조규편상제비적SBT박막역생성사방개태광결구,박막표면무렬문,공동소,비교치밀,정립적평균립경균위80nm,분포균균;정격조문간거약위0.296nm,정계2측적정립취향시수궤적.
