CAJ | 학술논문

万方数据

功能材料 공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2004年 z1期 221-223 ,共3页

肖洪地%马洪磊%薛成山%马瑾%宗福建%张希键%计峰%胡文容

초홍지%마홍뢰%설성산%마근%종복건%장희건%계봉%호문용

Ga2O3粉末%GaN粉末%氮化温度 Ga2O3粉末%GaN粉末%氮化溫度
Ga2O3분말%GaN분말%담화온도

在950℃氮化温度下,通过β-Ga2O3粉末与流动的NH3反应35min制备出GaN粉末.XRD、XPS、FTIR、TEM的测量结果表明:GaN粉末是六角纤锌矿结构的单晶晶粒,其晶格常数a=0.3191nm,c=0.5192nm;在粉末表面,Ga和N两种元素比约为1:1;GaN晶粒的形状为棒状.
재950℃담화온도하,통과β-Ga2O3분말여류동적NH3반응35min제비출GaN분말.XRD、XPS、FTIR、TEM적측량결과표명:GaN분말시륙각섬자광결구적단정정립,기정격상수a=0.3191nm,c=0.5192nm;재분말표면,Ga화N량충원소비약위1:1;GaN정립적형상위봉상.