质子注入MBE碲镉汞n-on-p结性能研究
질자주입MBE제력홍n-on-p결성능연구
Study of the current-voltage characteristics of n-on-p junction fabricated by proton-implanted molecular beam epitaxial Hg1-xCdxTe
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2003年 6期 1496-1499 ,共4页

    陈贵宾%李志锋%蔡炜颖%何力%胡晓宁%陆卫%沈学础

    진귀빈%리지봉%채위영%하력%호효저%륙위%침학출

    I-V特性%碲镉汞薄膜%质子注入%p-n结 I-V特性%碲鎘汞薄膜%質子註入%p-n結
    I-V특성%제력홍박막%질자주입%p-n결
    基于中波响应波段的分子束外延碲镉汞薄膜材料成功制备出不同质子注入剂量的大光敏元(500μm×500μm)的n-on-p结构的p-n结,并对相应的p-n结的电流-电压(I-V)特性进行了研究.质子注入剂量为2×1015cm-2时R0A达312.5Ω*cm2,低温热处理后达490Ω*cm2.
    기우중파향응파단적분자속외연제력홍박막재료성공제비출불동질자주입제량적대광민원(500μm×500μm)적n-on-p결구적p-n결,병대상응적p-n결적전류-전압(I-V)특성진행료연구.질자주입제량위2×1015cm-2시R0A체312.5Ω*cm2,저온열처리후체490Ω*cm2.
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