清华大学学报(自然科学版)
清華大學學報(自然科學版)
청화대학학보(자연과학판)
Journal of Tsinghua University
2003年
6期
808-810
,共3页
刘杨秋%梁彤祥%符晓铭%倪晓军
劉楊鞦%樑彤祥%符曉銘%倪曉軍
류양추%량동상%부효명%예효군
混合集成电路%膜集成电路%铜薄膜%化学气相沉积%玻璃陶瓷
混閤集成電路%膜集成電路%銅薄膜%化學氣相沉積%玻璃陶瓷
혼합집성전로%막집성전로%동박막%화학기상침적%파리도자
使用低介电常数基板和高电导率、高抗电迁移的金属Cu进行布线,可以提高高密度电子封装的传输速度和可靠性.采用乙酰丙酮铜作为前驱体, 在常压下利用化学气相沉积技术对玻璃陶瓷基板进行Cu薄膜金属化.利用热重分析、 X射线衍射和扫描电子显微镜等技术对前驱体、 Cu薄膜进行分析观察.结果表明: 影响Cu导体的电阻的主要因素是沉积温度.在温度为290～310 ℃, N2气流量为200～350 mL/min和H2气流量为450～600 mL/min的条件下, 获得了致密的Cu薄膜, Cu导体方块电阻为25 mΩ.
使用低介電常數基闆和高電導率、高抗電遷移的金屬Cu進行佈線,可以提高高密度電子封裝的傳輸速度和可靠性.採用乙酰丙酮銅作為前驅體, 在常壓下利用化學氣相沉積技術對玻璃陶瓷基闆進行Cu薄膜金屬化.利用熱重分析、 X射線衍射和掃描電子顯微鏡等技術對前驅體、 Cu薄膜進行分析觀察.結果錶明: 影響Cu導體的電阻的主要因素是沉積溫度.在溫度為290～310 ℃, N2氣流量為200～350 mL/min和H2氣流量為450～600 mL/min的條件下, 穫得瞭緻密的Cu薄膜, Cu導體方塊電阻為25 mΩ.
사용저개전상수기판화고전도솔、고항전천이적금속Cu진행포선,가이제고고밀도전자봉장적전수속도화가고성.채용을선병동동작위전구체, 재상압하이용화학기상침적기술대파리도자기판진행Cu박막금속화.이용열중분석、 X사선연사화소묘전자현미경등기술대전구체、 Cu박막진행분석관찰.결과표명: 영향Cu도체적전조적주요인소시침적온도.재온도위290～310 ℃, N2기류량위200～350 mL/min화H2기류량위450～600 mL/min적조건하, 획득료치밀적Cu박막, Cu도체방괴전조위25 mΩ.
