光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2003年
4期
336-341
,共6页
何锡源%张旭%郑代顺%郜朝阳%张福甲
何錫源%張旭%鄭代順%郜朝暘%張福甲
하석원%장욱%정대순%고조양%장복갑
光电探测器%PTCDA/p-Si%原子力显微镜(AFM)%X光电子能谱(XPS)
光電探測器%PTCDA/p-Si%原子力顯微鏡(AFM)%X光電子能譜(XPS)
광전탐측기%PTCDA/p-Si%원자력현미경(AFM)%X광전자능보(XPS)
采用真空蒸发沉积,在室温下制备了PTCDA/p-Si有机/无机异质结样品.对其表面用原子力显微镜(AFM)研究表明,PTCDA薄膜具有岛状形态结构.经X光电子能谱(XPS)分析表明,在PTCDA分子中,C原子有两种束缚能态,其结合能力分别为285.3 eV和288.7 eV;O原子与C原子相邻,一些O原子通过双键与C原子相结合,另外的O原子则通过单键与2个C原子相结合.经Ar+束溅射研究界面电子状态表明,随溅射时间增加,C 1s和O 1s峰逐渐减弱,而Si 2p和Si 2s峰渐渐增强.C 1s和Si 2p谱峰随着溅射时间的增加而逐渐向低束缚能力方向移动.由于荷电效应和碳硅氧烷(C-Si-O)及SiO2的存在,O 1s谱峰随溅射时间的增加先向高束缚能方向移动,然后向低束缚能方向移动.
採用真空蒸髮沉積,在室溫下製備瞭PTCDA/p-Si有機/無機異質結樣品.對其錶麵用原子力顯微鏡(AFM)研究錶明,PTCDA薄膜具有島狀形態結構.經X光電子能譜(XPS)分析錶明,在PTCDA分子中,C原子有兩種束縳能態,其結閤能力分彆為285.3 eV和288.7 eV;O原子與C原子相鄰,一些O原子通過雙鍵與C原子相結閤,另外的O原子則通過單鍵與2箇C原子相結閤.經Ar+束濺射研究界麵電子狀態錶明,隨濺射時間增加,C 1s和O 1s峰逐漸減弱,而Si 2p和Si 2s峰漸漸增彊.C 1s和Si 2p譜峰隨著濺射時間的增加而逐漸嚮低束縳能力方嚮移動.由于荷電效應和碳硅氧烷(C-Si-O)及SiO2的存在,O 1s譜峰隨濺射時間的增加先嚮高束縳能方嚮移動,然後嚮低束縳能方嚮移動.
채용진공증발침적,재실온하제비료PTCDA/p-Si유궤/무궤이질결양품.대기표면용원자력현미경(AFM)연구표명,PTCDA박막구유도상형태결구.경X광전자능보(XPS)분석표명,재PTCDA분자중,C원자유량충속박능태,기결합능력분별위285.3 eV화288.7 eV;O원자여C원자상린,일사O원자통과쌍건여C원자상결합,령외적O원자칙통과단건여2개C원자상결합.경Ar+속천사연구계면전자상태표명,수천사시간증가,C 1s화O 1s봉축점감약,이Si 2p화Si 2s봉점점증강.C 1s화Si 2p보봉수착천사시간적증가이축점향저속박능력방향이동.유우하전효응화탄규양완(C-Si-O)급SiO2적존재,O 1s보봉수천사시간적증가선향고속박능방향이동,연후향저속박능방향이동.