固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2001年
4期
453-459
,共7页
非晶硅%等离子增强化学气相淀积:Pdn/r匹配
非晶硅%等離子增彊化學氣相澱積:Pdn/r匹配
비정규%등리자증강화학기상정적:Pdn/r필배
等离子增强化学气相淀积(PECVD)制备高品质氢化非晶硅(HQ a-Si:H)工艺中,射频(rf)功率密度/SiH4流速率匹配(Pd/fr)的研究已有许多报道,但至今并无明确的结论.文中根据传统的SiH4辉光放电分解(CPECVD)制备HQ a-Si:H必须满足三个基本的化学物理要求,已经导出Pdn/f,(1＜n＜2)的一个解析表示式,它是SiH4气压/SiH4流速率比(Pr/fr)、电极间距(D)、Pd和n的函数,而且还受到衬底温度(Ts)的限制.这表示,在CPECVD工艺中不存在独立的Pd/fr匹配问题.
等離子增彊化學氣相澱積(PECVD)製備高品質氫化非晶硅(HQ a-Si:H)工藝中,射頻(rf)功率密度/SiH4流速率匹配(Pd/fr)的研究已有許多報道,但至今併無明確的結論.文中根據傳統的SiH4輝光放電分解(CPECVD)製備HQ a-Si:H必鬚滿足三箇基本的化學物理要求,已經導齣Pdn/f,(1＜n＜2)的一箇解析錶示式,它是SiH4氣壓/SiH4流速率比(Pr/fr)、電極間距(D)、Pd和n的函數,而且還受到襯底溫度(Ts)的限製.這錶示,在CPECVD工藝中不存在獨立的Pd/fr匹配問題.
등리자증강화학기상정적(PECVD)제비고품질경화비정규(HQ a-Si:H)공예중,사빈(rf)공솔밀도/SiH4류속솔필배(Pd/fr)적연구이유허다보도,단지금병무명학적결론.문중근거전통적SiH4휘광방전분해(CPECVD)제비HQ a-Si:H필수만족삼개기본적화학물리요구,이경도출Pdn/f,(1＜n＜2)적일개해석표시식,타시SiH4기압/SiH4류속솔비(Pr/fr)、전겁간거(D)、Pd화n적함수,이차환수도츤저온도(Ts)적한제.저표시,재CPECVD공예중불존재독립적Pd/fr필배문제.
