材料科学与工程
材料科學與工程
재료과학여공정
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING
2001年
2期
33-35
,共3页
王亚东%黄靖云%叶志镇%汪雷%马德群%赵炳辉
王亞東%黃靖雲%葉誌鎮%汪雷%馬德群%趙炳輝
왕아동%황정운%협지진%왕뢰%마덕군%조병휘
超高真空化学气相沉积%实时B掺杂%硅外延
超高真空化學氣相沉積%實時B摻雜%硅外延
초고진공화학기상침적%실시B참잡%규외연
本文利用超高真空化学气相沉积系统(UHV/CVD)在720℃Si(100)衬底上进行了实时B掺杂的硅外延.采用二次离子质谱仪(SIMS),傅立叶红外光谱(FTIR),扩展电阻仪(SRP)对外延层的性能进行研究.研究表明:720℃生长时已经实时掺入了B原子,1000℃退火5分钟后,外延层中B原子被激活,浓度达到1017～1O18cm-1,且过渡层分布陡峭.
本文利用超高真空化學氣相沉積繫統(UHV/CVD)在720℃Si(100)襯底上進行瞭實時B摻雜的硅外延.採用二次離子質譜儀(SIMS),傅立葉紅外光譜(FTIR),擴展電阻儀(SRP)對外延層的性能進行研究.研究錶明:720℃生長時已經實時摻入瞭B原子,1000℃退火5分鐘後,外延層中B原子被激活,濃度達到1017～1O18cm-1,且過渡層分佈陡峭.
본문이용초고진공화학기상침적계통(UHV/CVD)재720℃Si(100)츤저상진행료실시B참잡적규외연.채용이차리자질보의(SIMS),부립협홍외광보(FTIR),확전전조의(SRP)대외연층적성능진행연구.연구표명:720℃생장시이경실시참입료B원자,1000℃퇴화5분종후,외연층중B원자피격활,농도체도1017～1O18cm-1,차과도층분포두초.
