液晶与显示
液晶與顯示
액정여현시
CHINESE JOURNAL OF LIQUID CRYSTALS AND DISPLAYS
2001年
1期
1-5
,共5页
陆大成%刘祥林%韩培德%王晓晖%汪度%袁海荣
陸大成%劉祥林%韓培德%王曉暉%汪度%袁海榮
륙대성%류상림%한배덕%왕효휘%왕도%원해영
GaN%InGaN%AlGaN%双异质结%量子阱%蓝光LED%绿光LED%MOVPE
GaN%InGaN%AlGaN%雙異質結%量子阱%藍光LED%綠光LED%MOVPE
GaN%InGaN%AlGaN%쌍이질결%양자정%람광LED%록광LED%MOVPE
报道用自行研制的LP-MOVPE设备，在蓝宝石（α-Al2O3）衬底上生长出以InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGaN双异质结结构以及InGaN/GaN量子阱结构的LED，其发射波长分别为430～450nm和520～540nm。
報道用自行研製的LP-MOVPE設備，在藍寶石（α-Al2O3）襯底上生長齣以InGaN為有源區的藍光和綠光InGaN/AlGaN雙異質結結構以及InGaN/GaN量子阱結構的LED，其髮射波長分彆為430～450nm和520～540nm。
보도용자행연제적LP-MOVPE설비，재람보석（α-Al2O3）츤저상생장출이InGaN위유원구적람광화록광InGaN/AlGaN쌍이질결결구이급InGaN/GaN양자정결구적LED，기발사파장분별위430～450nm화520～540nm。
Zn and Si co-doped InGaN/AlGaN double-heterostructure andInGaN/GaN single quantum well structure were grown on Al2O3 substrate by LP-MOVPE. Blue LEDs with wavelength of 430～450nm and green LEDs with wavelength of 520～540nm were fabricated.
