赝形δ掺杂AlGaAs/InGaAs/GaAs量子阱的光致发光性质研究
안형δ참잡AlGaAs/InGaAs/GaAs양자정적광치발광성질연구
PHOTOLUMINESCENCE STUDIES ON PSEUDOMORPHIC δ-DOPED AlGaAs/InGaAs/GaAs QUANTUM WELLS
  • 万方数据
    红外与毫米波学报 홍외여호미파학보
    JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
    2000年 5期 333-337 ,共5页

    王晓光%常勇%桂永胜%褚君浩%曹昕%曾一平%孔梅影

    왕효광%상용%계영성%저군호%조흔%증일평%공매영

    p-HEMTs%量子阱%光致发光 p-HEMTs%量子阱%光緻髮光
    p-HEMTs%양자정%광치발광
    测量了一系列不同隔离层(spacer)厚度、阱宽和硅δ掺杂浓度的单边掺杂的赝形高电子迁移率晶体管(p-HEMTs)量子阱的变温和变激发功率光致发光谱,详细研究了(el-hh1)和(e2-hh1)两个发光峰之间的动态竞争发光机制,并运用有限差分法自洽求解薛定谔方程和泊松方程以得出电子限制势、子带能级以及相应的电子包络波函数、子带占据几率和δ掺杂电子转移效率,研究了两个峰的相对积分发光强度随隔离层厚度、阱宽和δ掺杂浓度的变化.
    측량료일계렬불동격리층(spacer)후도、정관화규δ참잡농도적단변참잡적안형고전자천이솔정체관(p-HEMTs)양자정적변온화변격발공솔광치발광보,상세연구료(el-hh1)화(e2-hh1)량개발광봉지간적동태경쟁발광궤제,병운용유한차분법자흡구해설정악방정화박송방정이득출전자한제세、자대능급이급상응적전자포락파함수、자대점거궤솔화δ참잡전자전이효솔,연구료량개봉적상대적분발광강도수격리층후도、정관화δ참잡농도적변화.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문