宽带GaAs MESFET开关模型
관대GaAs MESFET개관모형
A Switching Model of GaAs MESFET for Broadband Application
  • 万方数据
    固体电子学研究与进展 고체전자학연구여진전
    RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
    2003年 2期 189-192 ,共4页

    陈新宇%徐全胜%陈继义%陈效建%郝西萍%李拂晓%蒋幼泉

    진신우%서전성%진계의%진효건%학서평%리불효%장유천

    开关%模型%宽带%金属半导体场效应晶体管 開關%模型%寬帶%金屬半導體場效應晶體管
    개관%모형%관대%금속반도체장효응정체관
    提出了一种MESFET开关的模型--附加栅控开关模型,适用于MMIC电路的设计,具有很好的宽带微波特性.在0.1～20 GHz频率范围内,器件测试值与模型模拟值吻合较好.
    제출료일충MESFET개관적모형--부가책공개관모형,괄용우MMIC전로적설계,구유흔호적관대미파특성.재0.1～20 GHz빈솔범위내,기건측시치여모형모의치문합교호.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문