电子科技大学学报
電子科技大學學報
전자과기대학학보
JOURNAL OF UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA
2003年
1期
14-17
,共4页
Ka频段%微带集成电路%谐波混频器%变频损耗%反向并联混频二极管对
Ka頻段%微帶集成電路%諧波混頻器%變頻損耗%反嚮併聯混頻二極管對
Ka빈단%미대집성전로%해파혼빈기%변빈손모%반향병련혼빈이겁관대
介绍了一种Ka频段的微带四次谐波混频器的混频原理和设计方法.该混频器主要由波导-微带过渡,输入、输出滤波器以及匹配网络和反向并联混频二极管对组成.根据计算机辅助设计软件的仿真结果,在介电常数为2.22,厚度为0.254 mm的RF-Duroid 5880介质基片上制作了电路.当射频频率为34.2～35.2 GHz,本振频率为8.525～8.775GHz,中频频率为100MHz时,测得的变频损耗小于10.5 dB,其中最佳值为8.5 dB.
介紹瞭一種Ka頻段的微帶四次諧波混頻器的混頻原理和設計方法.該混頻器主要由波導-微帶過渡,輸入、輸齣濾波器以及匹配網絡和反嚮併聯混頻二極管對組成.根據計算機輔助設計軟件的倣真結果,在介電常數為2.22,厚度為0.254 mm的RF-Duroid 5880介質基片上製作瞭電路.噹射頻頻率為34.2～35.2 GHz,本振頻率為8.525～8.775GHz,中頻頻率為100MHz時,測得的變頻損耗小于10.5 dB,其中最佳值為8.5 dB.
개소료일충Ka빈단적미대사차해파혼빈기적혼빈원리화설계방법.해혼빈기주요유파도-미대과도,수입、수출려파기이급필배망락화반향병련혼빈이겁관대조성.근거계산궤보조설계연건적방진결과,재개전상수위2.22,후도위0.254 mm적RF-Duroid 5880개질기편상제작료전로.당사빈빈솔위34.2～35.2 GHz,본진빈솔위8.525～8.775GHz,중빈빈솔위100MHz시,측득적변빈손모소우10.5 dB,기중최가치위8.5 dB.
