半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2002年
10期
1078-1082
,共5页
宋登元%王永青%孙荣霞%宗晓萍%郭宝增
宋登元%王永青%孫榮霞%宗曉萍%郭寶增
송등원%왕영청%손영하%종효평%곽보증
ZnO薄膜%铝掺杂%射频磁控溅射%溅射气压%SEM形貌
ZnO薄膜%鋁摻雜%射頻磁控濺射%濺射氣壓%SEM形貌
ZnO박막%려참잡%사빈자공천사%천사기압%SEM형모
在Corning 1737玻璃衬底上射频磁控溅射沉积了铝掺杂ZnO薄膜(ZnO∶Al).薄膜沉积在衬底温度250℃、溅射功率100W和纯氩气氛中进行.通过在0.2～3.2Pa范围改变溅射氩气氛压力pAr,研究了不同pAr对样品的晶体结构、电学特性、光学特性和表观形貌的影响.利用X射线衍射(XRD)、透射和反射谱测量、扫描电子显微镜(SEM),发现不同pAr下ZnO∶Al薄膜都具有垂直于衬底C轴择优取向.在可见光谱范围,pAr对透过率的影响非常小,薄膜的平均透过率大于83%,但红外透过率与薄膜的电阻率成正比.在较低的溅射气压下(pAr=0.2Pa)获得的薄膜电阻率最小,对应有大的光学带隙(3.61eV).随着pAr的降低,晶粒尺寸增大.pAr对ZnO∶Al薄膜的表观形貌有显著的影响.
在Corning 1737玻璃襯底上射頻磁控濺射沉積瞭鋁摻雜ZnO薄膜(ZnO∶Al).薄膜沉積在襯底溫度250℃、濺射功率100W和純氬氣氛中進行.通過在0.2～3.2Pa範圍改變濺射氬氣氛壓力pAr,研究瞭不同pAr對樣品的晶體結構、電學特性、光學特性和錶觀形貌的影響.利用X射線衍射(XRD)、透射和反射譜測量、掃描電子顯微鏡(SEM),髮現不同pAr下ZnO∶Al薄膜都具有垂直于襯底C軸擇優取嚮.在可見光譜範圍,pAr對透過率的影響非常小,薄膜的平均透過率大于83%,但紅外透過率與薄膜的電阻率成正比.在較低的濺射氣壓下(pAr=0.2Pa)穫得的薄膜電阻率最小,對應有大的光學帶隙(3.61eV).隨著pAr的降低,晶粒呎吋增大.pAr對ZnO∶Al薄膜的錶觀形貌有顯著的影響.
재Corning 1737파리츤저상사빈자공천사침적료려참잡ZnO박막(ZnO∶Al).박막침적재츤저온도250℃、천사공솔100W화순아기분중진행.통과재0.2～3.2Pa범위개변천사아기분압력pAr,연구료불동pAr대양품적정체결구、전학특성、광학특성화표관형모적영향.이용X사선연사(XRD)、투사화반사보측량、소묘전자현미경(SEM),발현불동pAr하ZnO∶Al박막도구유수직우츤저C축택우취향.재가견광보범위,pAr대투과솔적영향비상소,박막적평균투과솔대우83%,단홍외투과솔여박막적전조솔성정비.재교저적천사기압하(pAr=0.2Pa)획득적박막전조솔최소,대응유대적광학대극(3.61eV).수착pAr적강저,정립척촌증대.pAr대ZnO∶Al박막적표관형모유현저적영향.
