半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
10期
2001-2005
,共5页
熊兵%王健%蔡鹏飞%田建柏%孙长征%罗毅
熊兵%王健%蔡鵬飛%田建柏%孫長徵%囉毅
웅병%왕건%채붕비%전건백%손장정%라의
宽带硅基过渡热沉%高速电吸收调制器%高阻率硅衬底%低损耗共面波导%薄膜电阻
寬帶硅基過渡熱沉%高速電吸收調製器%高阻率硅襯底%低損耗共麵波導%薄膜電阻
관대규기과도열침%고속전흡수조제기%고조솔규츤저%저손모공면파도%박막전조
提出了一种新型低成本硅基过渡热沉,用以实现高达40Gb/s的高速光电子器件封装.采用高阻硅衬底作为热沉基底,制作出了0～40GHz范围内传输损耗小于0.165dB/mm的共面波导传输线.热沉中采用Ta2N薄膜电阻作为负载以实现器件的阻抗匹配,达到了0～40GHz范围内低于-18dB的宽带低反射特性.和传统硅基平台相比,新型硅基热沉更具有制作工艺简单、导热性能良好等优点.为了证明其实用性,热沉被应用于高速电吸收调制器的管芯级封装测试,获得了超过33GHz的小信号调制带宽特性,在硅基热沉上首次实现可用于40Gb/s系统的光电子器件.
提齣瞭一種新型低成本硅基過渡熱沉,用以實現高達40Gb/s的高速光電子器件封裝.採用高阻硅襯底作為熱沉基底,製作齣瞭0～40GHz範圍內傳輸損耗小于0.165dB/mm的共麵波導傳輸線.熱沉中採用Ta2N薄膜電阻作為負載以實現器件的阻抗匹配,達到瞭0～40GHz範圍內低于-18dB的寬帶低反射特性.和傳統硅基平檯相比,新型硅基熱沉更具有製作工藝簡單、導熱性能良好等優點.為瞭證明其實用性,熱沉被應用于高速電吸收調製器的管芯級封裝測試,穫得瞭超過33GHz的小信號調製帶寬特性,在硅基熱沉上首次實現可用于40Gb/s繫統的光電子器件.
제출료일충신형저성본규기과도열침,용이실현고체40Gb/s적고속광전자기건봉장.채용고조규츤저작위열침기저,제작출료0～40GHz범위내전수손모소우0.165dB/mm적공면파도전수선.열침중채용Ta2N박막전조작위부재이실현기건적조항필배,체도료0～40GHz범위내저우-18dB적관대저반사특성.화전통규기평태상비,신형규기열침경구유제작공예간단、도열성능량호등우점.위료증명기실용성,열침피응용우고속전흡수조제기적관심급봉장측시,획득료초과33GHz적소신호조제대관특성,재규기열침상수차실현가용우40Gb/s계통적광전자기건.
