CMOS运算放大器电路的辐照损伤分析
CMOS운산방대기전로적복조손상분석
Analyses of the CMOS op-amps' damage in irradiation environment
  • 万方数据
    核技术 핵기술
    NUCLEAR TECHNIQUES
    2002年 3期 218-222 ,共5页

    陆妩%郭旗%任迪远%余学锋%张国强%严荣良%王明刚%胡浴红%赵文魁

    륙무%곽기%임적원%여학봉%장국강%엄영량%왕명강%호욕홍%조문괴

    CMOS运算放大器%辐射效应%损伤分析 CMOS運算放大器%輻射效應%損傷分析
    CMOS운산방대기%복사효응%손상분석
    通过分析P沟差分对输入CMOS运放电路内部单管特性、各节点电流、电压及运放整体电路在电离辐射环境中损伤特性的变化,探讨了引起运放电特性退化的主要原因.结果显示,由于差分对PMOSFET输出特性Ids-Vds的不对称,在辐照中引起的镜像恒流源的不匹配,是导致运放电参数发生剧变的根本原因.对CMOS运放电路来说,电路结构的匹配及MOSFET单管I-V特性的优劣,是决定运放抗辐射能力的
    통과분석P구차분대수입CMOS운방전로내부단관특성、각절점전류、전압급운방정체전로재전리복사배경중손상특성적변화,탐토료인기운방전특성퇴화적주요원인.결과현시,유우차분대PMOSFET수출특성Ids-Vds적불대칭,재복조중인기적경상항류원적불필배,시도치운방전삼수발생극변적근본원인.대CMOS운방전로래설,전로결구적필배급MOSFET단관I-V특성적우렬,시결정운방항복사능력적
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