HgCdTe分子束外延In原子的掺杂特性
HgCdTe분자속외연In원자적참잡특성
Indium Doping in MBE Grown HgCdTe
  • 万方数据
    固体电子学研究与进展 고체전자학연구여진전
    RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
    2002年 2期 210-214 ,共5页

    巫艳%陈路%于梅芳%乔怡敏%吴俊%何力%胡晓宁%李言谨%张勤耀%丁瑞军

    무염%진로%우매방%교이민%오준%하력%호효저%리언근%장근요%정서군

    分子束外延%碲镉汞%铟掺杂%红外焦平面 分子束外延%碲鎘汞%銦摻雜%紅外焦平麵
    분자속외연%제력홍%인참잡%홍외초평면
    报道了用MBE方法生长掺In N型HgCdTe材料的研究结果.发现In作为N型施主在HgCdTe中的电学激活率接近100%,其施主电离激活能至少小于0.6 meV.确认了在制备红外焦平面探测器时有必要将掺杂浓度控制在约3×1015cm-3水平.比较了高温退火前后In在HgCdTe中的扩散行为,得出在400 °C温度下In的扩散系数约为10-14cm2/sec,确认了In原子作为HgCdTe材料的N型掺杂剂的可用性和有效性.
    보도료용MBE방법생장참In N형HgCdTe재료적연구결과.발현In작위N형시주재HgCdTe중적전학격활솔접근100%,기시주전리격활능지소소우0.6 meV.학인료재제비홍외초평면탐측기시유필요장참잡농도공제재약3×1015cm-3수평.비교료고온퇴화전후In재HgCdTe중적확산행위,득출재400 °C온도하In적확산계수약위10-14cm2/sec,학인료In원자작위HgCdTe재료적N형참잡제적가용성화유효성.
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