高等学校化学学报
高等學校化學學報
고등학교화학학보
CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES
2001年
10期
1703-1706
,共4页
张英侠%朱永法%姚文清%曹立礼
張英俠%硃永法%姚文清%曹立禮
장영협%주영법%요문청%조립례
Gd2CuO4薄膜%晶化%界面%扩散%AES
Gd2CuO4薄膜%晶化%界麵%擴散%AES
Gd2CuO4박막%정화%계면%확산%AES
采用XRD和俄歇电子能谱(AES)等技术研究了钙钛矿型Gd2CuO4薄膜与基底Si和SiO2/Si的界面相互作用, 发现衬底对Gd2CuO4薄膜的晶化特性有很大影响. 以单晶Si为基底时, Gd2CuO4薄膜经600 ℃热处理1 h即可形成钙钛矿型晶体结构, 而以SiO2/Si为基底时, 经700 ℃热处理1 h才能形成较完善的钙钛矿型晶体结构. Gd2CuO4薄膜的晶粒度随热处理温度的升高而增大, 热处理时间对晶粒度则影响较小. AES深度剖析表明, 形成的薄膜组成均匀, 在界面上有一定程度的扩散. 以Si为基底时, Gd2CuO4与基底Si相互扩散, 以SiO2/Si为基底时则主要是薄膜中Gd, Cu向SiO2层中的扩散. AES线性分析表明, 在薄膜与基底的界面上, 各元素的俄歇电子动能发生位移, 表明基底作用使界面上元素的化学环境发生了变化.
採用XRD和俄歇電子能譜(AES)等技術研究瞭鈣鈦礦型Gd2CuO4薄膜與基底Si和SiO2/Si的界麵相互作用, 髮現襯底對Gd2CuO4薄膜的晶化特性有很大影響. 以單晶Si為基底時, Gd2CuO4薄膜經600 ℃熱處理1 h即可形成鈣鈦礦型晶體結構, 而以SiO2/Si為基底時, 經700 ℃熱處理1 h纔能形成較完善的鈣鈦礦型晶體結構. Gd2CuO4薄膜的晶粒度隨熱處理溫度的升高而增大, 熱處理時間對晶粒度則影響較小. AES深度剖析錶明, 形成的薄膜組成均勻, 在界麵上有一定程度的擴散. 以Si為基底時, Gd2CuO4與基底Si相互擴散, 以SiO2/Si為基底時則主要是薄膜中Gd, Cu嚮SiO2層中的擴散. AES線性分析錶明, 在薄膜與基底的界麵上, 各元素的俄歇電子動能髮生位移, 錶明基底作用使界麵上元素的化學環境髮生瞭變化.
채용XRD화아헐전자능보(AES)등기술연구료개태광형Gd2CuO4박막여기저Si화SiO2/Si적계면상호작용, 발현츤저대Gd2CuO4박막적정화특성유흔대영향. 이단정Si위기저시, Gd2CuO4박막경600 ℃열처리1 h즉가형성개태광형정체결구, 이이SiO2/Si위기저시, 경700 ℃열처리1 h재능형성교완선적개태광형정체결구. Gd2CuO4박막적정립도수열처리온도적승고이증대, 열처리시간대정립도칙영향교소. AES심도부석표명, 형성적박막조성균균, 재계면상유일정정도적확산. 이Si위기저시, Gd2CuO4여기저Si상호확산, 이SiO2/Si위기저시칙주요시박막중Gd, Cu향SiO2층중적확산. AES선성분석표명, 재박막여기저적계면상, 각원소적아헐전자동능발생위이, 표명기저작용사계면상원소적화학배경발생료변화.
