半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2001年
6期
755-759
,共5页
王姝睿%刘忠立%梁桂荣%梁秀芹%马红芝
王姝睿%劉忠立%樑桂榮%樑秀芹%馬紅芝
왕주예%류충립%량계영%량수근%마홍지
碳化硅%MOS电容
碳化硅%MOS電容
탄화규%MOS전용
在可商业获得的N型6H-SiC晶片上,通过化学气相淀积,进行同质外延生长,在此结构材料上,制备MOS电容.详细测量并分析了6H-SiCMOS电容的电学特性,其有效电荷密度为4.3×1010cm-2;SiC与SiO2之间的势垒高度估算为2.67eV;SiC热生长SiO2的本征击穿场强(用累计失效率50%时的场强来计算)为12.4MV/cm,已达到了制作器件的要求.
在可商業穫得的N型6H-SiC晶片上,通過化學氣相澱積,進行同質外延生長,在此結構材料上,製備MOS電容.詳細測量併分析瞭6H-SiCMOS電容的電學特性,其有效電荷密度為4.3×1010cm-2;SiC與SiO2之間的勢壘高度估算為2.67eV;SiC熱生長SiO2的本徵擊穿場彊(用纍計失效率50%時的場彊來計算)為12.4MV/cm,已達到瞭製作器件的要求.
재가상업획득적N형6H-SiC정편상,통과화학기상정적,진행동질외연생장,재차결구재료상,제비MOS전용.상세측량병분석료6H-SiCMOS전용적전학특성,기유효전하밀도위4.3×1010cm-2;SiC여SiO2지간적세루고도고산위2.67eV;SiC열생장SiO2적본정격천장강(용루계실효솔50%시적장강래계산)위12.4MV/cm,이체도료제작기건적요구.
