电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2007年
4期
19-21
,共3页
康利平%李俊丰%沈波%张良莹%姚熹
康利平%李俊豐%瀋波%張良瑩%姚熹
강리평%리준봉%침파%장량형%요희
无机非金属材料%β-BZT%焦绿石相%烧结温度%介电性能
無機非金屬材料%β-BZT%焦綠石相%燒結溫度%介電性能
무궤비금속재료%β-BZT%초록석상%소결온도%개전성능
在三元系单斜焦绿石相微波介质陶瓷Bi2(Zn1/3Ta2/3)2O7(简称β-BZT)中添加不同量的CuO,研究其对材料的结构和介电性能的影响.研究发现,添加CuO能降低烧结温度,w(CuO) ＜ 0.3 %不会导致样品的密度降低和出现第二相,并能很好保持β-BZT的介电性能.w(CuO)为0.1 %的样品烧结温度仅为950 ℃,其微波介电性能参数为:εr约为63,Q约为1 191(4.5 GHz).
在三元繫單斜焦綠石相微波介質陶瓷Bi2(Zn1/3Ta2/3)2O7(簡稱β-BZT)中添加不同量的CuO,研究其對材料的結構和介電性能的影響.研究髮現,添加CuO能降低燒結溫度,w(CuO) ＜ 0.3 %不會導緻樣品的密度降低和齣現第二相,併能很好保持β-BZT的介電性能.w(CuO)為0.1 %的樣品燒結溫度僅為950 ℃,其微波介電性能參數為:εr約為63,Q約為1 191(4.5 GHz).
재삼원계단사초록석상미파개질도자Bi2(Zn1/3Ta2/3)2O7(간칭β-BZT)중첨가불동량적CuO,연구기대재료적결구화개전성능적영향.연구발현,첨가CuO능강저소결온도,w(CuO) ＜ 0.3 %불회도치양품적밀도강저화출현제이상,병능흔호보지β-BZT적개전성능.w(CuO)위0.1 %적양품소결온도부위950 ℃,기미파개전성능삼수위:εr약위63,Q약위1 191(4.5 GHz).
