CAJ | 학술논문

以Cl2+SF6为刻蚀气体用RIE刻蚀机在200mtorr压力下刻蚀Channel部a-Silicon.通过调整刻蚀时间.研究a-Silicon剩余厚度对TFT特性的影响.并通过在线电学特性测试设备EPM对TFT器件电学特性进行测量和评估.在这里说明测试用的Glass,Channel部的a-Silicon是由三层物质L:a-Silicon、H:a-Silicon、和n+a-Silicon按照21.74%、56.52%、21.74%的比例沉积而成.其中n+a-Silicon是Channel部必须去除的部分,其余两部分才是影响TFT特性的因素.而TFT Channel的真正形成也是在L:a-Silicon层.所以整个实验过程中需要考虑一点是H:a-Silicon在全部a-Silicon(包含L:a-Silicon、H:a-Silicon、和n+a-Silicon)中的比例,即所谓的H:a-Silicon%.因为既要保证下面的L:a-Silicon层不受影响,同时还要保证上面的n+a-Silicon曾被完全去除.所以实验中的时间选定必须从某个定点开始.实验结果说明当H:a-Silicon的剩余厚度为10.8%时TFT特性明显变差,那么可以保守的得出:在其它条件不变的情况下.H:a-Silicon的剩余厚度在a-Silicon总厚度的25%-45%范围之内时TFT器件的电学特性受到的影响很小:而H:a-Silicon剩余厚度少于a-Silicon总厚度的25%时TFT器件的电学特性变差.即工作电流变小、开启电压变大、漏电流和迁移率没有明显差异.
이Cl2+SF6위각식기체용RIE각식궤재200mtorr압력하각식Channel부a-Silicon.통과조정각식시간.연구a-Silicon잉여후도대TFT특성적영향.병통과재선전학특성측시설비EPM대TFT기건전학특성진행측량화평고.재저리설명측시용적Glass,Channel부적a-Silicon시유삼층물질L:a-Silicon、H:a-Silicon、화n+a-Silicon안조21.74%、56.52%、21.74%적비례침적이성.기중n+a-Silicon시Channel부필수거제적부분,기여량부분재시영향TFT특성적인소.이TFT Channel적진정형성야시재L:a-Silicon층.소이정개실험과정중수요고필일점시H:a-Silicon재전부a-Silicon(포함L:a-Silicon、H:a-Silicon、화n+a-Silicon)중적비례,즉소위적H:a-Silicon%.인위기요보증하면적L:a-Silicon층불수영향,동시환요보증상면적n+a-Silicon증피완전거제.소이실험중적시간선정필수종모개정점개시.실험결과설명당H:a-Silicon적잉여후도위10.8%시TFT특성명현변차,나요가이보수적득출:재기타조건불변적정황하.H:a-Silicon적잉여후도재a-Silicon총후도적25%-45%범위지내시TFT기건적전학특성수도적영향흔소:이H:a-Silicon잉여후도소우a-Silicon총후도적25%시TFT기건적전학특성변차.즉공작전류변소、개계전압변대、루전류화천이솔몰유명현차이.