人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2010年
6期
1465-1469
,共5页
郝培风%高斐%苗锟%刘立慧%孙杰%权乃承%刘晓静%张君善
郝培風%高斐%苗錕%劉立慧%孫傑%權迺承%劉曉靜%張君善
학배풍%고비%묘곤%류립혜%손걸%권내승%류효정%장군선
热电薄膜%nc-Si:(Al2O3+SiO2)复合膜%热蒸发%Seebeck系数
熱電薄膜%nc-Si:(Al2O3+SiO2)複閤膜%熱蒸髮%Seebeck繫數
열전박막%nc-Si:(Al2O3+SiO2)복합막%열증발%Seebeck계수
采用真空热蒸发技术在石英玻璃衬底上蒸镀约400 nm的铝膜,并在空气中580 ℃的条件下退火1 h.在退火过程中Al与石英中的SiO2反应形成纳米硅nc-Si: (Al2O3+SiO2)复合膜.利用X射线衍射(XRD)、拉曼散射(Raman)及扫描电镜(SEM)等方法研究了薄膜的结构特性.测得膜厚约为760 nm,估算出薄膜中纳米硅(nc-Si)的平均尺寸约为25 nm.实验发现该nc-Si: (Al2O3+SiO2)复合膜有热电特性,研究了其电阻率及Seebeck系数随温度(293 ～413 K)的变化关系,在293 K和413 K该薄膜的Seebeck系数分别约为-624 μV/K和-225 μV/K.
採用真空熱蒸髮技術在石英玻璃襯底上蒸鍍約400 nm的鋁膜,併在空氣中580 ℃的條件下退火1 h.在退火過程中Al與石英中的SiO2反應形成納米硅nc-Si: (Al2O3+SiO2)複閤膜.利用X射線衍射(XRD)、拉曼散射(Raman)及掃描電鏡(SEM)等方法研究瞭薄膜的結構特性.測得膜厚約為760 nm,估算齣薄膜中納米硅(nc-Si)的平均呎吋約為25 nm.實驗髮現該nc-Si: (Al2O3+SiO2)複閤膜有熱電特性,研究瞭其電阻率及Seebeck繫數隨溫度(293 ～413 K)的變化關繫,在293 K和413 K該薄膜的Seebeck繫數分彆約為-624 μV/K和-225 μV/K.
채용진공열증발기술재석영파리츤저상증도약400 nm적려막,병재공기중580 ℃적조건하퇴화1 h.재퇴화과정중Al여석영중적SiO2반응형성납미규nc-Si: (Al2O3+SiO2)복합막.이용X사선연사(XRD)、랍만산사(Raman)급소묘전경(SEM)등방법연구료박막적결구특성.측득막후약위760 nm,고산출박막중납미규(nc-Si)적평균척촌약위25 nm.실험발현해nc-Si: (Al2O3+SiO2)복합막유열전특성,연구료기전조솔급Seebeck계수수온도(293 ～413 K)적변화관계,재293 K화413 K해박막적Seebeck계수분별약위-624 μV/K화-225 μV/K.
