微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2011年
11期
697-701
,共5页
碳化硅(SiC)%硅(Si)%脉冲功率晶体管%内匹配技术%微波
碳化硅(SiC)%硅(Si)%脈遲功率晶體管%內匹配技術%微波
탄화규(SiC)%규(Si)%맥충공솔정체관%내필배기술%미파
采用自主开发的工艺加工技术和设计方法,直接将两个微波SiC MESFET管芯在管壳内部进行并联,实现了器件在S波段脉冲状态下(工作频率2 GHz,脉冲宽度30 μs,占空比10％)输出功率大于30 W、功率增益12 dB、功率附加效率大于30％的性能指标.由于直接采用管芯并联结构,省略了内匹配网络,器件的体积和重量较以往的Si微波双极功率晶体管大为降低；采用高温氧化技术克服了传统MESFET工艺中PECVD介质产生较高界面态的不足,减小了器件的泄漏电流,提高了器件性能.器件的研制成功,初步显示了SiC微波脉冲功率器件在体积小、重量轻、增益高、脉冲大功率输出和制作工艺简单等方面的优势.
採用自主開髮的工藝加工技術和設計方法,直接將兩箇微波SiC MESFET管芯在管殼內部進行併聯,實現瞭器件在S波段脈遲狀態下(工作頻率2 GHz,脈遲寬度30 μs,佔空比10％)輸齣功率大于30 W、功率增益12 dB、功率附加效率大于30％的性能指標.由于直接採用管芯併聯結構,省略瞭內匹配網絡,器件的體積和重量較以往的Si微波雙極功率晶體管大為降低；採用高溫氧化技術剋服瞭傳統MESFET工藝中PECVD介質產生較高界麵態的不足,減小瞭器件的洩漏電流,提高瞭器件性能.器件的研製成功,初步顯示瞭SiC微波脈遲功率器件在體積小、重量輕、增益高、脈遲大功率輸齣和製作工藝簡單等方麵的優勢.
채용자주개발적공예가공기술화설계방법,직접장량개미파SiC MESFET관심재관각내부진행병련,실현료기건재S파단맥충상태하(공작빈솔2 GHz,맥충관도30 μs,점공비10％)수출공솔대우30 W、공솔증익12 dB、공솔부가효솔대우30％적성능지표.유우직접채용관심병련결구,성략료내필배망락,기건적체적화중량교이왕적Si미파쌍겁공솔정체관대위강저；채용고온양화기술극복료전통MESFET공예중PECVD개질산생교고계면태적불족,감소료기건적설루전류,제고료기건성능.기건적연제성공,초보현시료SiC미파맥충공솔기건재체적소、중량경、증익고、맥충대공솔수출화제작공예간단등방면적우세.
