半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
10期
1093-1098
,共6页
准Fermi能级%pn结模型%VCSEL
準Fermi能級%pn結模型%VCSEL
준Fermi능급%pn결모형%VCSEL
分别使用准Fermi能级和pn结模型决定VCSEL的有源层压降,建立了两种自洽确定VCSEL中电势及载流子分布的方法.针对电极电压变化和氧化层限制孔径变化的两种情况,在阈值附近对器件中的结电压分布、载流子浓度分布和注入有源层电流密度分布进行了计算;针对两者所得结果的差异进行了简要的分析,指出了二者的特点及适用范围.
分彆使用準Fermi能級和pn結模型決定VCSEL的有源層壓降,建立瞭兩種自洽確定VCSEL中電勢及載流子分佈的方法.針對電極電壓變化和氧化層限製孔徑變化的兩種情況,在閾值附近對器件中的結電壓分佈、載流子濃度分佈和註入有源層電流密度分佈進行瞭計算;針對兩者所得結果的差異進行瞭簡要的分析,指齣瞭二者的特點及適用範圍.
분별사용준Fermi능급화pn결모형결정VCSEL적유원층압강,건립료량충자흡학정VCSEL중전세급재류자분포적방법.침대전겁전압변화화양화층한제공경변화적량충정황,재역치부근대기건중적결전압분포、재류자농도분포화주입유원층전류밀도분포진행료계산;침대량자소득결과적차이진행료간요적분석,지출료이자적특점급괄용범위.
