物理
物理
물리
2004年
7期
529-533
,共5页
硬盘%GMR%读传感器%纳米器件
硬盤%GMR%讀傳感器%納米器件
경반%GMR%독전감기%납미기건
近年来电脑硬盘存储密度的飞速增长(年增长100%)已超出摩尔定律的预言.这种惊人的高速增长中,最关键的因素是自旋阀纳米多层膜结构,即巨磁电阻(GMR)读传感器磁头的应用.事实上,巨磁电阻磁头读传感器(reader sensor)已经实现由微电子器件向纳米电子器件转化,并且形成大规模产业.这一过程包含了自旋电子学、材料科学、微电子工程学、化学、微机械力学和工程学等诸学科和相关微加工技术综合性挑战极限,进入纳米科技领域实质性进步.
近年來電腦硬盤存儲密度的飛速增長(年增長100%)已超齣摩爾定律的預言.這種驚人的高速增長中,最關鍵的因素是自鏇閥納米多層膜結構,即巨磁電阻(GMR)讀傳感器磁頭的應用.事實上,巨磁電阻磁頭讀傳感器(reader sensor)已經實現由微電子器件嚮納米電子器件轉化,併且形成大規模產業.這一過程包含瞭自鏇電子學、材料科學、微電子工程學、化學、微機械力學和工程學等諸學科和相關微加工技術綜閤性挑戰極限,進入納米科技領域實質性進步.
근년래전뇌경반존저밀도적비속증장(년증장100%)이초출마이정률적예언.저충량인적고속증장중,최관건적인소시자선벌납미다층막결구,즉거자전조(GMR)독전감기자두적응용.사실상,거자전조자두독전감기(reader sensor)이경실현유미전자기건향납미전자기건전화,병차형성대규모산업.저일과정포함료자선전자학、재료과학、미전자공정학、화학、미궤계역학화공정학등제학과화상관미가공기술종합성도전겁한,진입납미과기영역실질성진보.
