高剂量离子注入直接形成Ge纳米晶的物理机理
고제량리자주입직접형성Ge납미정적물리궤리
Physical Mechanism of Ge Nanocrystals Formed by High-Dose-Ion-Implantation
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2005年 8期 1543-1548 ,共6页

    胡强%卢铁城%敦少博%张松宝%唐彬%代君龙%ZHU Sha%Wang Lumin

    호강%로철성%돈소박%장송보%당빈%대군룡%ZHU Sha%Wang Lumin

    Ge纳米晶%阈值剂量%单束双能离子注入 Ge納米晶%閾值劑量%單束雙能離子註入
    Ge납미정%역치제량%단속쌍능리자주입
    研究了单束双能高剂量Ge离子注入、不经过退火在非晶态SiO2薄膜中直接形成镶嵌结构Ge纳米晶的物理机制.实验中利用不加磁分析器的离子注入机,采用Ge弧光放电离化自动形成的Ge+和Ge2+双电荷离子并存的单束双能离子注入方法,制备了1016～1018cm-2多种剂量Ge离子注入的Si基SiO2薄膜样品.用GIXRD表征了Ge纳米晶的存在,并仔细分析得到了纳米晶形成的阈值剂量.通过TEM分析了Ge纳米晶的深度分布和晶粒尺寸.用SRIM程序分别计算了双能离子在SiO2非晶层的射程和深度分布,与实验结合,得到纳米晶形成的物理机制,即纳米晶的形成与单束双能离子注入时Ge+和Ge2+相互碰撞产生的能量沉积在SiO2中形成的局域高温有关.
    연구료단속쌍능고제량Ge리자주입、불경과퇴화재비정태SiO2박막중직접형성양감결구Ge납미정적물리궤제.실험중이용불가자분석기적리자주입궤,채용Ge호광방전리화자동형성적Ge+화Ge2+쌍전하리자병존적단속쌍능리자주입방법,제비료1016～1018cm-2다충제량Ge리자주입적Si기SiO2박막양품.용GIXRD표정료Ge납미정적존재,병자세분석득도료납미정형성적역치제량.통과TEM분석료Ge납미정적심도분포화정립척촌.용SRIM정서분별계산료쌍능리자재SiO2비정층적사정화심도분포,여실험결합,득도납미정형성적물리궤제,즉납미정적형성여단속쌍능리자주입시Ge+화Ge2+상호팽당산생적능량침적재SiO2중형성적국역고온유관.
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