半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2006年
5期
361-362,366
,共3页
王娟%刘玉岭%张建新%舒行军
王娟%劉玉嶺%張建新%舒行軍
왕연%류옥령%장건신%서행군
钽%化学机械抛光%抛光机理
鐽%化學機械拋光%拋光機理
단%화학궤계포광%포광궤리
为拓宽CMP技术应用领域,研究了中国工程物理研究院机械制造工艺研究所提供的钽片的抛光,打破过去以机械加工为主的加工手段,采用提高化学作用的方法,加入螯合剂、有机碱、活性剂等助剂,对钽进行抛光.结果发现,钽表面的粗糙度较小,表面状态良好,说明增强化学作用可以提高抛钽效果.对钽的CMP机理做了分析与推测,为钽CMP进一步研究奠定了基础.
為拓寬CMP技術應用領域,研究瞭中國工程物理研究院機械製造工藝研究所提供的鐽片的拋光,打破過去以機械加工為主的加工手段,採用提高化學作用的方法,加入螯閤劑、有機堿、活性劑等助劑,對鐽進行拋光.結果髮現,鐽錶麵的粗糙度較小,錶麵狀態良好,說明增彊化學作用可以提高拋鐽效果.對鐽的CMP機理做瞭分析與推測,為鐽CMP進一步研究奠定瞭基礎.
위탁관CMP기술응용영역,연구료중국공정물리연구원궤계제조공예연구소제공적단편적포광,타파과거이궤계가공위주적가공수단,채용제고화학작용적방법,가입오합제、유궤감、활성제등조제,대단진행포광.결과발현,단표면적조조도교소,표면상태량호,설명증강화학작용가이제고포단효과.대단적CMP궤리주료분석여추측,위단CMP진일보연구전정료기출.
