核电子学与探测技术
覈電子學與探測技術
핵전자학여탐측기술
NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY
2006年
4期
385-389
,共5页
任国浩%陈晓峰%薛炫萍%李中波%沈勇%陆晟
任國浩%陳曉峰%薛炫萍%李中波%瀋勇%陸晟
임국호%진효봉%설현평%리중파%침용%륙성
CsI(Tl)晶体%光输出%Tl离子%非均匀性%辐照硬度
CsI(Tl)晶體%光輸齣%Tl離子%非均勻性%輻照硬度
CsI(Tl)정체%광수출%Tl리자%비균균성%복조경도
研究了用非真空铂坩埚下降法生长的CsI(Tl)晶体的在紫外和γ射线激发下的光致发光和光衰减特征,探索了CsI(Tl)晶体的发光强度和发光不均匀性与Tl离子含量和分布之间的关系以及改善晶体发光均匀性的措施.并对CsI(Tl)晶体在γ射线辐照下光输出随积分时间和辐照剂量的变化做了分析和讨论.实验表明,用这种方法所生长的CsI(Tl)晶体的发射波长、衰减时间和辐照硬度与其他方法生长的同类晶体相同.
研究瞭用非真空鉑坩堝下降法生長的CsI(Tl)晶體的在紫外和γ射線激髮下的光緻髮光和光衰減特徵,探索瞭CsI(Tl)晶體的髮光彊度和髮光不均勻性與Tl離子含量和分佈之間的關繫以及改善晶體髮光均勻性的措施.併對CsI(Tl)晶體在γ射線輻照下光輸齣隨積分時間和輻照劑量的變化做瞭分析和討論.實驗錶明,用這種方法所生長的CsI(Tl)晶體的髮射波長、衰減時間和輻照硬度與其他方法生長的同類晶體相同.
연구료용비진공박감과하강법생장적CsI(Tl)정체적재자외화γ사선격발하적광치발광화광쇠감특정,탐색료CsI(Tl)정체적발광강도화발광불균균성여Tl리자함량화분포지간적관계이급개선정체발광균균성적조시.병대CsI(Tl)정체재γ사선복조하광수출수적분시간화복조제량적변화주료분석화토론.실험표명,용저충방법소생장적CsI(Tl)정체적발사파장、쇠감시간화복조경도여기타방법생장적동류정체상동.
