光子学报
光子學報
광자학보
ACTA PHOTONICA SINICA
2006年
4期
517-520
,共4页
硅片%散射%米氏理论%杨氏模型%微分散射截面
硅片%散射%米氏理論%楊氏模型%微分散射截麵
규편%산사%미씨이론%양씨모형%미분산사절면
为求解硅片表面微小粒子在任意线偏振平面入射光照射下的散射光光强分布,选择了基于Mie散射的杨氏模型为依据,推导了该模型下散射光强空间分布的计算方法,并给出了0.54 μm球形粒子在垂直、倾斜入射下光强空间分布的模拟计算结果,以及入射平面第一象限内散射光强与国外已发表实验结果的比较.
為求解硅片錶麵微小粒子在任意線偏振平麵入射光照射下的散射光光彊分佈,選擇瞭基于Mie散射的楊氏模型為依據,推導瞭該模型下散射光彊空間分佈的計算方法,併給齣瞭0.54 μm毬形粒子在垂直、傾斜入射下光彊空間分佈的模擬計算結果,以及入射平麵第一象限內散射光彊與國外已髮錶實驗結果的比較.
위구해규편표면미소입자재임의선편진평면입사광조사하적산사광광강분포,선택료기우Mie산사적양씨모형위의거,추도료해모형하산사광강공간분포적계산방법,병급출료0.54 μm구형입자재수직、경사입사하광강공간분포적모의계산결과,이급입사평면제일상한내산사광강여국외이발표실험결과적비교.
