半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
3期
242-244
,共3页
杜宏伟%魏昕%林悦香%潘志国%江景涛
杜宏偉%魏昕%林悅香%潘誌國%江景濤
두굉위%위흔%림열향%반지국%강경도
钽酸锂%化学机械抛光%化学腐蚀%抛光液
鐽痠鋰%化學機械拋光%化學腐蝕%拋光液
단산리%화학궤계포광%화학부식%포광액
通过化学腐蚀方法研究了liTaO3(LT)晶片的化学机械抛光的化学腐蚀机理,研究了LiTaO3单晶的化学机械抛光过程腐蚀作用的主要影响因素及其影响规律,获得了LiTaO3晶片CMP过程有效的氧化剂和稳定剂.采用X衍射测量抛光表面的结构变化,分析了晶片表面在不同抛光液条件下发生的变化.研究结果为优化LiTaO3 CMP工艺参数,进一步探讨化学机械抛光机理提供了依据.
通過化學腐蝕方法研究瞭liTaO3(LT)晶片的化學機械拋光的化學腐蝕機理,研究瞭LiTaO3單晶的化學機械拋光過程腐蝕作用的主要影響因素及其影響規律,穫得瞭LiTaO3晶片CMP過程有效的氧化劑和穩定劑.採用X衍射測量拋光錶麵的結構變化,分析瞭晶片錶麵在不同拋光液條件下髮生的變化.研究結果為優化LiTaO3 CMP工藝參數,進一步探討化學機械拋光機理提供瞭依據.
통과화학부식방법연구료liTaO3(LT)정편적화학궤계포광적화학부식궤리,연구료LiTaO3단정적화학궤계포광과정부식작용적주요영향인소급기영향규률,획득료LiTaO3정편CMP과정유효적양화제화은정제.채용X연사측량포광표면적결구변화,분석료정편표면재불동포광액조건하발생적변화.연구결과위우화LiTaO3 CMP공예삼수,진일보탐토화학궤계포광궤리제공료의거.
