淮阴师范学院学报（自然科学版）
淮陰師範學院學報（自然科學版）
회음사범학원학보（자연과학판）
JOURNAL OF HUAIYIN TEACHERS COLLEGE (NATURAL SCIENCE EDITION)
2009年
2期
128-130,134
,共4页
激光分子束外延%热膨胀系数%位错%生长模式
激光分子束外延%熱膨脹繫數%位錯%生長模式
격광분자속외연%열팽창계수%위착%생장모식
利用激光分子束外延技术在DyScO3(DSO)衬底上异质外延生长了SrTiO3(STO)薄膜. 采用原位X射线衍射方法在20～300K范围内测量了低温下薄膜的热膨胀系数;讨论了应变与晶格失配之间的关系. 薄膜的晶格参数在80 K的异常变化可能预示着结构相变的存在. 高分辨X射线衍射用来分析样品中存在的两种位错:剪切位错和螺旋位错. 结果显示, 总的螺旋位错密度要比剪切位错密度大得多. 我们认为螺旋位错是样品生长过程中的主要缺陷;剪切位错密度随着样品厚度的增加而增加. 这两种位错密度之间的比例关系决定了薄膜的生长模式.
利用激光分子束外延技術在DyScO3(DSO)襯底上異質外延生長瞭SrTiO3(STO)薄膜. 採用原位X射線衍射方法在20～300K範圍內測量瞭低溫下薄膜的熱膨脹繫數;討論瞭應變與晶格失配之間的關繫. 薄膜的晶格參數在80 K的異常變化可能預示著結構相變的存在. 高分辨X射線衍射用來分析樣品中存在的兩種位錯:剪切位錯和螺鏇位錯. 結果顯示, 總的螺鏇位錯密度要比剪切位錯密度大得多. 我們認為螺鏇位錯是樣品生長過程中的主要缺陷;剪切位錯密度隨著樣品厚度的增加而增加. 這兩種位錯密度之間的比例關繫決定瞭薄膜的生長模式.
이용격광분자속외연기술재DyScO3(DSO)츤저상이질외연생장료SrTiO3(STO)박막. 채용원위X사선연사방법재20～300K범위내측량료저온하박막적열팽창계수;토론료응변여정격실배지간적관계. 박막적정격삼수재80 K적이상변화가능예시착결구상변적존재. 고분변X사선연사용래분석양품중존재적량충위착:전절위착화라선위착. 결과현시, 총적라선위착밀도요비전절위착밀도대득다. 아문인위라선위착시양품생장과정중적주요결함;전절위착밀도수착양품후도적증가이증가. 저량충위착밀도지간적비례관계결정료박막적생장모식.
