微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2001年
3期
212-215
,共4页
锁相环%频率合成器%压控振荡器%前置分频器
鎖相環%頻率閤成器%壓控振盪器%前置分頻器
쇄상배%빈솔합성기%압공진탕기%전치분빈기
文章提出了一种采用延迟单元交错耦合压控振荡器(VCO)和高速双系数前置分频器的锁相环(PLL)频率合成器设计方法.采用0.25 μm的CMOS工艺模型,在Cadence环境下模拟,在相同级数情况下,设计获得的VCO比传统顺序连接的VCO速度快1.4倍;运用动态D触发器实现的双系数前置分频器,最高速度可达2 GHz.该锁相环频率合成器在400 MHz～1.1 GHz的宽频范围内都能保持良好的相位跟踪特性,温度系数为886 ppm/℃,电源反射比为3.3%/V.
文章提齣瞭一種採用延遲單元交錯耦閤壓控振盪器(VCO)和高速雙繫數前置分頻器的鎖相環(PLL)頻率閤成器設計方法.採用0.25 μm的CMOS工藝模型,在Cadence環境下模擬,在相同級數情況下,設計穫得的VCO比傳統順序連接的VCO速度快1.4倍;運用動態D觸髮器實現的雙繫數前置分頻器,最高速度可達2 GHz.該鎖相環頻率閤成器在400 MHz～1.1 GHz的寬頻範圍內都能保持良好的相位跟蹤特性,溫度繫數為886 ppm/℃,電源反射比為3.3%/V.
문장제출료일충채용연지단원교착우합압공진탕기(VCO)화고속쌍계수전치분빈기적쇄상배(PLL)빈솔합성기설계방법.채용0.25 μm적CMOS공예모형,재Cadence배경하모의,재상동급수정황하,설계획득적VCO비전통순서련접적VCO속도쾌1.4배;운용동태D촉발기실현적쌍계수전치분빈기,최고속도가체2 GHz.해쇄상배빈솔합성기재400 MHz～1.1 GHz적관빈범위내도능보지량호적상위근종특성,온도계수위886 ppm/℃,전원반사비위3.3%/V.
