固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2005年
2期
160-166
,共7页
蒲月皎%刘丕均%张亚非%王印月
蒲月皎%劉丕均%張亞非%王印月
포월교%류비균%장아비%왕인월
器件模拟%量子传输%纳米级金属氧化物半导体场效应管%弹道传输
器件模擬%量子傳輸%納米級金屬氧化物半導體場效應管%彈道傳輸
기건모의%양자전수%납미급금속양화물반도체장효응관%탄도전수
随着半导体微细加工技术的发展,预计硅SOC的集成度可达万亿个晶体管,单个晶体管的尺寸将达到10 nm范围内.因此从理论上研究纳米尺寸器件的性能和特性对发展超大规模集成电路尤为重要.综述了纳米级MOSFET器件数值模拟的量子模型,以及在该模型下用到的几种载流子输运模型,并结合模拟结果对这一模型作了评价.
隨著半導體微細加工技術的髮展,預計硅SOC的集成度可達萬億箇晶體管,單箇晶體管的呎吋將達到10 nm範圍內.因此從理論上研究納米呎吋器件的性能和特性對髮展超大規模集成電路尤為重要.綜述瞭納米級MOSFET器件數值模擬的量子模型,以及在該模型下用到的幾種載流子輸運模型,併結閤模擬結果對這一模型作瞭評價.
수착반도체미세가공기술적발전,예계규SOC적집성도가체만억개정체관,단개정체관적척촌장체도10 nm범위내.인차종이론상연구납미척촌기건적성능화특성대발전초대규모집성전로우위중요.종술료납미급MOSFET기건수치모의적양자모형,이급재해모형하용도적궤충재류자수운모형,병결합모의결과대저일모형작료평개.
