纳米技术与精密工程
納米技術與精密工程
납미기술여정밀공정
NANOTECHNOLOGY AND PRECISION ENGINEERING
2007年
3期
211-214
,共4页
张生才%吴成昌%肖夏%王云峰%姚素英%赵新为
張生纔%吳成昌%肖夏%王雲峰%姚素英%趙新為
장생재%오성창%초하%왕운봉%요소영%조신위
nc-Si量子点%激光烧蚀%拉曼光谱%X射线衍射仪%透射电子显微镜%原子力显微镜
nc-Si量子點%激光燒蝕%拉曼光譜%X射線衍射儀%透射電子顯微鏡%原子力顯微鏡
nc-Si양자점%격광소식%랍만광보%X사선연사의%투사전자현미경%원자력현미경
利用激光烧蚀沉积法在n-Si(100)衬底上制备非晶硅(α-Si)薄膜,再经过高温退火技术处理使α-Si晶化成纳米硅晶体(nc-Si)量子点.利用拉曼(Raman)光谱仪、X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)以及原子力显微镜(AFM)等测试仪器对nc-Si薄膜进行表征,发现制备的nc-Si量子点排列紧密、尺寸均匀,具有很好的单晶结构,制备的nc-Si薄膜晶化比例很高,并且优先选择在[111]方向晶化.
利用激光燒蝕沉積法在n-Si(100)襯底上製備非晶硅(α-Si)薄膜,再經過高溫退火技術處理使α-Si晶化成納米硅晶體(nc-Si)量子點.利用拉曼(Raman)光譜儀、X射線衍射儀(XRD)、透射電子顯微鏡(TEM)以及原子力顯微鏡(AFM)等測試儀器對nc-Si薄膜進行錶徵,髮現製備的nc-Si量子點排列緊密、呎吋均勻,具有很好的單晶結構,製備的nc-Si薄膜晶化比例很高,併且優先選擇在[111]方嚮晶化.
이용격광소식침적법재n-Si(100)츤저상제비비정규(α-Si)박막,재경과고온퇴화기술처리사α-Si정화성납미규정체(nc-Si)양자점.이용랍만(Raman)광보의、X사선연사의(XRD)、투사전자현미경(TEM)이급원자력현미경(AFM)등측시의기대nc-Si박막진행표정,발현제비적nc-Si양자점배렬긴밀、척촌균균,구유흔호적단정결구,제비적nc-Si박막정화비례흔고,병차우선선택재[111]방향정화.
