半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2001年
8期
975-978
,共4页
刘英坤%梁春广%邓建国%张颖秋%郎秀兰%李思渊
劉英坤%樑春廣%鄧建國%張穎鞦%郎秀蘭%李思淵
류영곤%량춘엄%산건국%장영추%랑수란%리사연
低压%梯形栅结构%钼栅工艺%甚高频功率VDMOSFET
低壓%梯形柵結構%鉬柵工藝%甚高頻功率VDMOSFET
저압%제형책결구%목책공예%심고빈공솔VDMOSFET
采用梯形栅结构和难熔金属钼栅工艺，研制出了高性能，低电压工作，适用于移动通信的甚高频功率VDMOS场效应晶体管．该器件在175MHz、12V低电压工作条件下,输出功率为12W，漏极效率为70%，功率增益为12dB．
採用梯形柵結構和難鎔金屬鉬柵工藝，研製齣瞭高性能，低電壓工作，適用于移動通信的甚高頻功率VDMOS場效應晶體管．該器件在175MHz、12V低電壓工作條件下,輸齣功率為12W，漏極效率為70%，功率增益為12dB．
채용제형책결구화난용금속목책공예，연제출료고성능，저전압공작，괄용우이동통신적심고빈공솔VDMOS장효응정체관．해기건재175MHz、12V저전압공작조건하,수출공솔위12W，루겁효솔위70%，공솔증익위12dB．
