物理学报
物理學報
물이학보
2004年
1期
244-247
,共4页
Yb2.75C60%电子能谱%电子态密度
Yb2.75C60%電子能譜%電子態密度
Yb2.75C60%전자능보%전자태밀도
用角积分紫外光电子能谱技术测量了Yb2.75C60薄膜的价带电子态密度分布.相纯Yb2.75C60样品通过C1s芯态x射线电子谱峰的位移表征.结果表明Yb2.75C60是半导体,在费米能级处几乎没有电子态分布.Yb 6s电子态和C60LUMO能带的杂化效应不可忽略,有部分Yb 6s电子分布在Yb-C60杂化能带上.
用角積分紫外光電子能譜技術測量瞭Yb2.75C60薄膜的價帶電子態密度分佈.相純Yb2.75C60樣品通過C1s芯態x射線電子譜峰的位移錶徵.結果錶明Yb2.75C60是半導體,在費米能級處幾乎沒有電子態分佈.Yb 6s電子態和C60LUMO能帶的雜化效應不可忽略,有部分Yb 6s電子分佈在Yb-C60雜化能帶上.
용각적분자외광전자능보기술측량료Yb2.75C60박막적개대전자태밀도분포.상순Yb2.75C60양품통과C1s심태x사선전자보봉적위이표정.결과표명Yb2.75C60시반도체,재비미능급처궤호몰유전자태분포.Yb 6s전자태화C60LUMO능대적잡화효응불가홀략,유부분Yb 6s전자분포재Yb-C60잡화능대상.
