第一性原理对GanNn(n=2～5)小团簇的结构及电子性质的研究
제일성원리대GanNn(n=2～5)소단족적결구급전자성질적연구
First principles study on structure and electronic properties of small GanNn(n=2～5)clusters
  • 万方数据
    原子与分子物理学报 원자여분자물이학보
    CHINESE JOURNAL OF ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS
    2008年 1期 143-148 ,共6页

    葛桂贤%雷雪玲%闫玉丽%杨致%赵文杰%王清林%罗有华

    갈계현%뢰설령%염옥려%양치%조문걸%왕청림%라유화

    GanNn团簇%最低能量结构%电子性质 GanNn糰簇%最低能量結構%電子性質
    GanNn단족%최저능량결구%전자성질
    利用密度泛函理论的B3LYP方法在6-31G*的水平上对GanNn(n=2～5)团簇的结构进行优化,得到了GanNn(n=2～5)团簇的最稳定结构.并对最稳定结构的电子性质、成键特性和极化率进行分析.结果表明,团簇的最稳定结构为平面结构,且存在着N2和N3单元,说明N-N键在团簇的形成过程中起着决定性的作用;能隙间隔为1.776～3.563 eV,表明GanNn(n=2～5)团簇已具有了半导体的性质.
    이용밀도범함이론적B3LYP방법재6-31G*적수평상대GanNn(n=2～5)단족적결구진행우화,득도료GanNn(n=2～5)단족적최은정결구.병대최은정결구적전자성질、성건특성화겁화솔진행분석.결과표명,단족적최은정결구위평면결구,차존재착N2화N3단원,설명N-N건재단족적형성과정중기착결정성적작용;능극간격위1.776～3.563 eV,표명GanNn(n=2～5)단족이구유료반도체적성질.
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