微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2010年
1期
56-59
,共4页
王定理%周宁%王磊%刘文%徐智谋%石兢
王定理%週寧%王磊%劉文%徐智謀%石兢
왕정리%주저%왕뢰%류문%서지모%석긍
纳米压印%半导体激光器%分布反馈光栅%相移型光栅%干法刻蚀技术%湿法腐蚀
納米壓印%半導體激光器%分佈反饋光柵%相移型光柵%榦法刻蝕技術%濕法腐蝕
납미압인%반도체격광기%분포반궤광책%상이형광책%간법각식기술%습법부식
分布反馈(DFB)光栅的制作是半导体激光器芯片的关键工艺,通过纳米压印技术在InP基片表面涂覆的光刻胶上压印出DFB光栅图形,并分别通过湿法腐蚀和干法刻蚀技术将光栅图形转移到InP基片上.所制作的DFB光栅周期为240 nm(对应于1 550 nm波长的DFB激光器),光栅中间具有λ/4相移结构.采用纳米压印技术制作的DFB光栅相对于通常双光束干涉法制作的光栅具有更好的均匀性以及更低的线条粗糙度,而且解决了双光束干涉法无法制作非均匀光栅的技术难题.相对于电子束直写光刻法,采用纳米压印技术制作DFB光栅具有快速与低成本的优势.采用纳米压印技术在InP基片上成功制作具有相移结构的DFB光栅,为进一步进行低成本高性能的半导体激光器芯片的制作奠定了良好基础.
分佈反饋(DFB)光柵的製作是半導體激光器芯片的關鍵工藝,通過納米壓印技術在InP基片錶麵塗覆的光刻膠上壓印齣DFB光柵圖形,併分彆通過濕法腐蝕和榦法刻蝕技術將光柵圖形轉移到InP基片上.所製作的DFB光柵週期為240 nm(對應于1 550 nm波長的DFB激光器),光柵中間具有λ/4相移結構.採用納米壓印技術製作的DFB光柵相對于通常雙光束榦涉法製作的光柵具有更好的均勻性以及更低的線條粗糙度,而且解決瞭雙光束榦涉法無法製作非均勻光柵的技術難題.相對于電子束直寫光刻法,採用納米壓印技術製作DFB光柵具有快速與低成本的優勢.採用納米壓印技術在InP基片上成功製作具有相移結構的DFB光柵,為進一步進行低成本高性能的半導體激光器芯片的製作奠定瞭良好基礎.
분포반궤(DFB)광책적제작시반도체격광기심편적관건공예,통과납미압인기술재InP기편표면도복적광각효상압인출DFB광책도형,병분별통과습법부식화간법각식기술장광책도형전이도InP기편상.소제작적DFB광책주기위240 nm(대응우1 550 nm파장적DFB격광기),광책중간구유λ/4상이결구.채용납미압인기술제작적DFB광책상대우통상쌍광속간섭법제작적광책구유경호적균균성이급경저적선조조조도,이차해결료쌍광속간섭법무법제작비균균광책적기술난제.상대우전자속직사광각법,채용납미압인기술제작DFB광책구유쾌속여저성본적우세.채용납미압인기술재InP기편상성공제작구유상이결구적DFB광책,위진일보진행저성본고성능적반도체격광기심편적제작전정료량호기출.
