Si基大面积碲镉汞分子束外延研究
Si기대면적제력홍분자속외연연구
The Study of HgCdTe on Si by MBE
  • 万方数据
    激光与红外 격광여홍외
    LASER & INFRARED
    2006年 11期 1051-1053,1056 ,共4页

    陈路%傅祥良%巫艳%吴俊%王伟强%魏青竹%王元樟%何力

    진로%부상량%무염%오준%왕위강%위청죽%왕원장%하력

    Si基%碲镉汞%分子束外延%红外焦平面阵列 Si基%碲鎘汞%分子束外延%紅外焦平麵陣列
    Si기%제력홍%분자속외연%홍외초평면진렬
    文章报道了Si基碲镉汞分子束外延(MBE)的最新研究进展.尝试用晶向偏角降低高界面应变能的方法,摸索大失配体系中位错的抑制途径,寻找位错密度与双晶半峰宽的对应关系,基本建立了外延材料晶体质量无损检测评价标准,并对外延工艺进行指导.通过上述研究,15～20μm Si基CdTe复合材料双晶半峰宽最好结果为54arcsec,对应位错密度(EPD)小于2×106/cm2,与相同厚度的GaAs/CdTe(211)双晶水平相当,达到或优于国际最好结果.获得的3in 10μm Si基HgCdTe材料双晶半峰宽最好结果为51arcsec,目前Si基HgCdTe材料已经初步应用于焦平面中波320×240器件制备.
    문장보도료Si기제력홍분자속외연(MBE)적최신연구진전.상시용정향편각강저고계면응변능적방법,모색대실배체계중위착적억제도경,심조위착밀도여쌍정반봉관적대응관계,기본건립료외연재료정체질량무손검측평개표준,병대외연공예진행지도.통과상술연구,15～20μm Si기CdTe복합재료쌍정반봉관최호결과위54arcsec,대응위착밀도(EPD)소우2×106/cm2,여상동후도적GaAs/CdTe(211)쌍정수평상당,체도혹우우국제최호결과.획득적3in 10μm Si기HgCdTe재료쌍정반봉관최호결과위51arcsec,목전Si기HgCdTe재료이경초보응용우초평면중파320×240기건제비.
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