半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年
2期
310-314
,共5页
郑卫民%宋淑梅%吕英波%王爱芳%陶琳
鄭衛民%宋淑梅%呂英波%王愛芳%陶琳
정위민%송숙매%려영파%왕애방%도림
量子限制效应%浅受主杂质%δ掺杂%GaAs/AlAs多量子阱%光致发光谱
量子限製效應%淺受主雜質%δ摻雜%GaAs/AlAs多量子阱%光緻髮光譜
양자한제효응%천수주잡질%δ참잡%GaAs/AlAs다양자정%광치발광보
从实验和理论上,研究了量子限制效应对限制在GaAs/AIAs多量子阱中受主对重窄穴束缚能的影响.实验中所用的样品是通过分子束外延技术生长的一系列GaAs/AIAs多量子阱,量子阱宽度从3nm到20nm,并且在量子阱中央进行了浅受主铍(Be)原子的δ掺杂.在4,20,40,80和120K不同温度下,分别对上述系列样品进行了光致发光谱(PL)的测量,清楚地观察到了受主束缚激子从ls3/2(Г6)基态到同种宇称2s3/2(Г6)激发态的两空穴跃迁,并且从实验上测得了在不同量子阱宽度下受主的束缚能.理论上应用量子力学中的变分原理,数值计算了受主对重空穴束缚能随量子阱宽度的变化关系,比较发现理论计算和实验结果符合较好.
從實驗和理論上,研究瞭量子限製效應對限製在GaAs/AIAs多量子阱中受主對重窄穴束縳能的影響.實驗中所用的樣品是通過分子束外延技術生長的一繫列GaAs/AIAs多量子阱,量子阱寬度從3nm到20nm,併且在量子阱中央進行瞭淺受主鈹(Be)原子的δ摻雜.在4,20,40,80和120K不同溫度下,分彆對上述繫列樣品進行瞭光緻髮光譜(PL)的測量,清楚地觀察到瞭受主束縳激子從ls3/2(Г6)基態到同種宇稱2s3/2(Г6)激髮態的兩空穴躍遷,併且從實驗上測得瞭在不同量子阱寬度下受主的束縳能.理論上應用量子力學中的變分原理,數值計算瞭受主對重空穴束縳能隨量子阱寬度的變化關繫,比較髮現理論計算和實驗結果符閤較好.
종실험화이론상,연구료양자한제효응대한제재GaAs/AIAs다양자정중수주대중착혈속박능적영향.실험중소용적양품시통과분자속외연기술생장적일계렬GaAs/AIAs다양자정,양자정관도종3nm도20nm,병차재양자정중앙진행료천수주피(Be)원자적δ참잡.재4,20,40,80화120K불동온도하,분별대상술계렬양품진행료광치발광보(PL)적측량,청초지관찰도료수주속박격자종ls3/2(Г6)기태도동충우칭2s3/2(Г6)격발태적량공혈약천,병차종실험상측득료재불동양자정관도하수주적속박능.이론상응용양자역학중적변분원리,수치계산료수주대중공혈속박능수양자정관도적변화관계,비교발현이론계산화실험결과부합교호.
