压电与声光
壓電與聲光
압전여성광
PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS
2007年
6期
723-725
,共3页
刘文%王质武%杨清斗%卫静婷
劉文%王質武%楊清鬥%衛靜婷
류문%왕질무%양청두%위정정
氮化铝%直流磁控溅射%原子力显微镜%X-射线光电子能谱%化学计量比
氮化鋁%直流磁控濺射%原子力顯微鏡%X-射線光電子能譜%化學計量比
담화려%직류자공천사%원자력현미경%X-사선광전자능보%화학계량비
在Si(111)基底上利用直流磁控溅射系统沉积氮化铝(AlN)薄膜,X-射线衍射分析薄膜结构和取向,原子力显微镜分析薄膜表面形貌,X-射线光电子能谱分析薄膜的元素化学价态和组分.结果表明,生长的AlN薄膜具有良好的(100)择优取向,其半峰宽为0.3°.薄膜表面粗糙度为0.23 nm,表面均方根粗糙度为0.30 nm,z轴方向最高突起约3.25 nm.薄膜表面组分为Al、N、O、C元素,其中C、O主要以物理吸附方式存在于薄膜表面,而Al、N元素的存在方式主要是Al-N化合物,深度剥蚀分析表明获得的AlN薄膜接近其化学计量比.
在Si(111)基底上利用直流磁控濺射繫統沉積氮化鋁(AlN)薄膜,X-射線衍射分析薄膜結構和取嚮,原子力顯微鏡分析薄膜錶麵形貌,X-射線光電子能譜分析薄膜的元素化學價態和組分.結果錶明,生長的AlN薄膜具有良好的(100)擇優取嚮,其半峰寬為0.3°.薄膜錶麵粗糙度為0.23 nm,錶麵均方根粗糙度為0.30 nm,z軸方嚮最高突起約3.25 nm.薄膜錶麵組分為Al、N、O、C元素,其中C、O主要以物理吸附方式存在于薄膜錶麵,而Al、N元素的存在方式主要是Al-N化閤物,深度剝蝕分析錶明穫得的AlN薄膜接近其化學計量比.
재Si(111)기저상이용직류자공천사계통침적담화려(AlN)박막,X-사선연사분석박막결구화취향,원자력현미경분석박막표면형모,X-사선광전자능보분석박막적원소화학개태화조분.결과표명,생장적AlN박막구유량호적(100)택우취향,기반봉관위0.3°.박막표면조조도위0.23 nm,표면균방근조조도위0.30 nm,z축방향최고돌기약3.25 nm.박막표면조분위Al、N、O、C원소,기중C、O주요이물리흡부방식존재우박막표면,이Al、N원소적존재방식주요시Al-N화합물,심도박식분석표명획득적AlN박막접근기화학계량비.
